[發明專利]一種用硅膠包覆GPP芯片灌封橋式整流器的制造方法

有效

• 申請號: 201710633387.8
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN107393835B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 史振坤
• 申請（專利權）人: 陽信金鑫電子有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L25/07;H01L23/29
• 代理公司: 濟南千慧專利事務所(普通合伙企業) 37232
• 代理人: 高小荷

一種用硅膠包覆GPP芯片灌封橋式整流器的制造方法，步驟包括:將若干個GPP芯片放入分向吸盤中，所述分向吸盤包括吸盤本體，在吸盤本體上間隔設有若干排吸盤孔，所述吸盤孔為大吸盤孔和小吸盤孔間隔設置，大吸盤孔與GPP芯片的N極相配合，小吸盤孔與GPP芯片的P極相配合，晃動分向吸盤后，GPP芯片落入吸盤孔內，通過向分向吸盤孔施加負壓使得GPP芯片吸附在分向吸盤上；去除了裂片、酸腐蝕、高純水清洗絕緣硅膠高溫硫化等步驟，共縮短生產周期12小時每批。臺面工藝制程的GPP芯片組焊工藝，采用合金導線與芯片接觸位置采用的是釘頭凸點結構，此結構解決了因焊接過程中產生的氣孔虛連，從而提升了器件的正向浪涌能力。

技術領域：

本發明涉及一種半導體整流器件的制造方法，特別涉及一種用硅膠包覆GPP芯片灌封橋式整流器的制造方法。

背景技術：

目前整流器的制造方法步驟為：芯片分極性→裂片→合金線分極性裝填→合金線焊接→酸腐蝕鋁板轉換→酸腐蝕→高純水清洗→高溫烘烤→涂覆Si膠→固化→灌封→后固化→電鍍→測試打印→檢驗→包裝的工藝流程。采用這種方法制造的整流器存在以下問題：1、在焊接操作過程中，芯片的極性區分靠人工涂色區分，操作中極性方向極易出現反向不良，操作效率低，且極性反向報廢不良比例大于2％。2、合金線焊接后需要經過化學試劑腐蝕，將芯片的P/N界面表層的二氧化硅腐蝕溶解，此過程會產生一定的酸液污水，影響環境防護，且化學試劑對芯片的腐蝕深度及速度受外界影響因素較多，較難控制，對于器件后續高溫環境下，工作的信賴性性能存有一定的不穩定因素。3、采用化學試劑將芯片界面腐蝕后，需要用去離子超高導水進行清洗，將表面的雜質去除干凈，高溫烘烤后涂覆硅膠，對芯片界面進行防護防止界面污染，此時間段對生產環境溫度、濕度、去離子水絕緣度、所處環境的潔凈程度要求很高，且此工藝流程路線較長，若芯片界面雜質清理不凈或流轉過程受到外界污染時，器件在后續工作中，雜質形成逆向導通的媒介，對器件后續工作時的高溫性能的可靠性存有一定的隱患。4、其合金線焊接時，導線與芯片連接面容易產生的焊接氣泡難以排出，冷卻后形成氣孔，在后續的酸液腐蝕中產生鉆蝕孔洞，造成器件的正向浪涌能力差。5、現有工藝流程，工藝流程路線較長，產品生產周期較長，自裂片焊接至半成品毛管，需要28H，對于工治具周轉及產量提升存有一定的制約性。

發明內容：

本發明提供了一種半導體整流器件的制造方法，芯片的極性區分不再靠人工完成，不會產生污水避免了影響環境，高溫性能的可靠性強，器件的正向浪涌能力強，工藝流程路線較短，提高了生產效率，解決了現有技術中存在的問題。

本發明為解決上述技術問題所采用的技術方案是：

一種用硅膠包覆GPP芯片灌封橋式整流器的制造方法，步驟包括:

(1)將若干個GPP芯片放入分向吸盤中，所述分向吸盤包括吸盤本體，在吸盤本體上間隔設有若干排吸盤孔，所述吸盤孔為大吸盤孔和小吸盤孔間隔設置，大吸盤孔與GPP芯片的N極相配合，小吸盤孔與GPP芯片的P極相配合，晃動分向吸盤后，GPP芯片落入吸盤孔內，通過向分向吸盤孔施加負壓使得GPP芯片吸附在分向吸盤上；

(2)在焊接治具上間隔布設若干導線，每個導線的位置與吸附在分向吸盤上的在斜45°上相鄰的兩GPP芯片位置相對；

(3)將步驟(1)吸有GPP芯片的分向吸盤覆蓋在焊接治具上，除去施加在分向吸盤上的負壓，分向吸盤上的GPP芯片掉落在焊接治具上，在斜45°上相鄰的兩GPP芯片壓在相應的導線上，在GPP芯片和導線之間設有焊片；

(4)在步驟(3)布設好GPP芯片的焊接治具上，沿斜135°間隔布設若干導線，每個導線連接相連兩GPP芯片，在導線和芯片之間設有焊片，使相連四個GPP芯片組成一個整流橋；

(5)將步驟(4)的布設有若干個整流橋的焊接治具放入燒結爐中進行高溫燒結，每個整流橋的四個GPP芯片和導線之間完成焊接；