[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710631901.4
• 申請(qǐng)日: 2017-07-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108231548B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王筱姍;吳承翰;張慶裕;林進(jìn)祥
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/027
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/027
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

1.一種半導(dǎo)體裝置的制作方法，包括：

曝光一基板上的一光阻層；

對(duì)曝光的該光阻層進(jìn)行一臨場(chǎng)處理工藝，其中該臨場(chǎng)處理工藝沉積一處理材料于曝光的該光阻層中，其中該處理材料的第一部份鍵結(jié)至曝光的該光阻層中的一潛圖案的表面，其中該處理材料包括一第一單體、一第二單體、與一第三單體的一或多者，其中該第一單體、該第二單體、與該第三單體彼此不同；以及

顯影曝光的該光阻層，進(jìn)而移除該處理材料的第二部份，以提供一處理后的圖案化光阻層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，還包括：

在曝光該光阻層之后以及進(jìn)行該臨場(chǎng)處理工藝之前，進(jìn)行一烘烤工藝。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中移除該處理材料的第二部份采用的一溶劑，包括醋酸正丁酯、2-庚烷、與醋酸異戊酯中至少一者。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該溶劑的分配系數(shù)大于1.82。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該第一單體包括脂肪族化合物、C4-C20的烷基、環(huán)烷基、C4-C20的飽合或未飽合碳?xì)洵h(huán)、與C5-C20的雜環(huán)基中的至少一者。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該第一單體的玻璃轉(zhuǎn)換溫度低于80℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該第二單體包含堿，其酸解離常數(shù)大于7且小于13。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該第二單體包含NH₃基、一級(jí)至三級(jí)胺基、OH^-基、NCS^-基、烯基、酚基、C5-C20的雜環(huán)基、與CN基中至少一者。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該第三單體包含苯乙烯與酚醛化合物中至少一者。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該處理材料的分子量小于20000。

11.一種半導(dǎo)體裝置的制作方法，包括：

曝光一基板上的一光阻層，以形成一光阻層中的一潛圖案；

對(duì)曝光的該光阻層進(jìn)行一臨場(chǎng)處理工藝，其中該臨場(chǎng)處理工藝沉積一處理材料于曝光的該光阻層中與該潛圖案的側(cè)壁上，其中該處理材料包括一第一單體、一第二單體、與一第三單體的一或多者，且該第一單體、該第二單體、與該第三單體彼此不同；

在進(jìn)行該臨場(chǎng)處理工藝之后，顯影曝光的該光阻層以提供一處理后的圖案化光阻層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該潛圖案具有第一線(xiàn)寬粗糙度，且其中該處理后的圖案化光阻層具有第二線(xiàn)寬粗糙度，且第二線(xiàn)寬粗糙度小于第一線(xiàn)寬粗糙度。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中沉積該處理材料于曝光的該光阻層中及該潛圖案的側(cè)壁上的步驟，包括該處理材料通過(guò)氫鍵、離子鍵、或共價(jià)鍵鍵結(jié)至該潛圖案的表面。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中沉積該處理材料于曝光的該光阻層中及該潛圖案的側(cè)壁上的步驟，包括該處理材料擴(kuò)散穿過(guò)該光阻層的曝光部份或未曝光部份。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該處理材料包括具有該第一單體、該第二單體、與該第三單體的一共聚物。