[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201710631475.4
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN107665875A
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 柴田祥吾;中川信也;山口公輔
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L25/07
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 何立波,張天舒

1.一種半導體裝置，其具備：

功率芯片；

IC芯片，其對所述功率芯片進行驅動；以及

引線框，其具有薄壁部和比所述薄壁部的厚度厚的厚壁部，

所述功率芯片搭載于所述厚壁部，所述IC芯片搭載于所述薄壁部。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

如果將所述功率芯片的端部和與該功率芯片的該端部側對應的所述厚壁部的端部之間的距離設為a，將所述厚壁部的厚度設為t，則在所述功率芯片的4邊中的至少1邊滿足t≥a。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述厚壁部的上表面設置于比所述薄壁部的上表面的高度位置低的高度位置。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述厚壁部為多個，

所述半導體裝置還具備對所述引線框的一部分、所述功率芯片及所述IC芯片進行封裝的模塑樹脂，

所述引線框還具有從所述模塑樹脂向第1方向凸出的端子，

各所述厚壁部沿與所述第1方向正交的第2方向設置于一條直線上。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述厚壁部和所述薄壁部由不同部件形成，

所述厚壁部由具有比所述薄壁部高的導熱特性的部件形成。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述厚壁部被實施了鍍敷。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述厚壁部具有至少2種不同的厚度。

8.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

還具備：絕緣層，其配置于所述厚壁部的下表面；以及散熱器，其配置于所述絕緣層的下表面，

如果將所述薄壁部的上表面的高度位置與所述厚壁部的上表面的高度位置之差與所述厚壁部的厚度之和設為A，將所述絕緣層的厚度與所述散熱器的厚度之和設為B，則滿足A>B。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述厚壁部還設置于經由導線與所述功率芯片連接的所述引線框的導線鍵合部分。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述功率芯片是將SiC作為材料而形成的。