[發明專利]太陽能電池硅片的擴散方法、管式擴散爐、太陽能電池在審
| 申請號: | 201710630198.5 | 申請日: | 2017-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN107437573A | 公開(公告)日: | 2017-12-05 |
| 發明(設計)人: | 黃紀德;侯玥玥;金井升;張昕宇;金浩 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/068;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 胡素莉,李海建 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 硅片 擴散 方法 | ||
1.一種太陽能電池硅片的擴散方法,其特征在于,包括步驟:
將硅片送至擴散爐管內;
加熱所述擴散爐管,以使所述擴散爐管內的溫度沿工藝氣體充入所述擴散爐管的方向增高;
對所述擴散爐管內的硅片進行擴散。
2.根據權利要求1所述的擴散方法,其特征在于,所述工藝氣體自所述擴散爐管的爐尾向所述擴散爐管的爐口充入所述擴散爐管。
3.根據權利要求1所述的擴散方法,其特征在于,所述擴散爐管包括至少兩個管段,相鄰兩個所述管段內的溫度沿工藝氣體充入所述擴散爐管的方向增高。
4.根據權利要求1所述的擴散方法,其特征在于,所述擴散爐管內的溫度沿工藝氣體充入所述擴散爐管的方向遞增。
5.根據權利要求1所述的擴散方法,其特征在于,所述擴散爐管內的最高溫度和最低溫度的差值為1℃-20℃,所述擴散爐管內的溫度不小于780℃且不大于800℃。
6.根據權利要求1所述的擴散方法,其特征在于,所述工藝氣體包括:氧氣、氮氣和攜帶雜質源的氮氣,其中,所述氧氣的流量為500sccm-1000sccm,所述氮氣的流量為5slm-10slm,所述氮氣的流量為500sccm-1000sccm。
7.根據權利要求1-6中任意一項所述的擴散方法,其特征在于,對所述擴散爐管內的硅片進行擴散具體包括步驟:
對所述硅片進行恒定源擴散;
待所述恒定源擴散結束后,對所述硅片進行限定源擴散;
待所述限定源擴散結束后,將所述硅片的溫度降至預設溫度。
8.根據權利要求7所述的擴散方法,其特征在于,所述恒定源擴散的時間為5min-20min,所述限定源擴散的時間為5min-20min。
9.一種太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池的PN結由如權利要求1-8中任意一項所述的擴散方法制作。
10.一種管式擴散爐,其特征在于,包括:擴散爐管和加熱模塊,其中,所述加熱模塊加熱所述擴散爐管以使所述擴散爐管內的溫度沿工藝氣體充入所述擴散爐管的方向增高。
11.根據權利要求10所述的管式擴散爐,其特征在于,所述加熱模塊至少為兩個,且所述加熱模塊沿所述擴散爐管的充氣方向分布,相鄰兩個所述加熱模塊的加熱溫度沿所述擴散爐管的充氣方向增高。
12.根據權利要求11所述的管式擴散爐,其特征在于,所述加熱模塊為加熱絲,且所述加熱絲纏繞于所述擴散爐管上。
13.根據權利要求10所述的管式擴散爐,其特征在于,所述擴散爐管內的最高溫度和最低溫度的差值為1℃-20℃,所述擴散爐管內的溫度不小于780℃且不大于800℃。
14.根據權利要求10所述的管式擴散爐,其特征在于,所述加熱模塊套設于所述擴散爐管的外側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





