[發明專利]FFS型液晶顯示器及其制備方法

在審

• 申請號: 201710630007.5
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN107290886A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 孫杰
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1343
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其是涉及一種FFS型液晶顯示器及其制備方法。

背景技術

隨著光電與半導體技術的發展，液晶顯示器也得到了蓬勃發展。在諸多液晶顯示器中，具有高空間利用效率、體積小、顯示分辨率高、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等優越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)，近來已成為市場的主流。由于TFT-LCD廣泛應用在筆記本電腦、手機及電視等與生活息息相關的電子產品中，人們對于圖像質量的要求越來越高，因而圖像質量的改善也一直作為相關領域持續追求的目標。

邊緣場開關(Fringe Field Switching，簡稱FFS)技術是最近幾年出現的可以改善LCD畫質的技術之一，能同時實現高穿透性與大視角等要求。FFS型液晶顯示器通過同一平面內像素間電極產生邊緣電場，使電極間以及電極正上方的去向液晶分子都能在(平行于基板)平面方向發生旋轉轉換，從而提高液晶層的透光效率。

參考圖1，現有的FFS型液晶顯示器結構示意圖。現有的FFS型液晶顯示器的結構主要是由一TFT陣列基板11、一CF基板12、以及配置于兩基板間的液晶層13所構成，其中，TFT陣列基板11包括制備在基板110上的公共電極111、絕緣保護層112、像素電極113以及配向膜114。現有的FFS型液晶顯示器通過像素電極113、絕緣保護層112及公共電極111之間形成平面電場(圖中虛線所示)，以此來控制液晶層13的液晶分子的旋轉，從而控制圖像的顯示。由于其特殊的平面電場結構，殘像(Image Sticking，簡稱IS)問題相對其他模式更為突出。

參考圖2，現有的FFS型液晶顯示器離子聚集效應示意圖。現有的FFS型液晶顯示器由于平面電場(如圖中虛線所示)的作用，液晶等材料中的離子電荷201會在像素電極113處聚集，從而造成電荷殘留，在液晶顯示器內會導致橫向偏壓的產生，從而形成影響液晶顯示器品質的殘像問題。

因此，需要對現有的FFS型液晶顯示器的設計方式進行改進，以提升液晶顯示器品質、節省生產成本。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種FFS型液晶顯示器及其制備方法，以解決影響液晶顯示器品質的殘像問題，提升液晶顯示器品質，并節約生產成本。

為實現上述目的，本發明提供了一種FFS型液晶顯示器，包括TFT陣列基板；所述TFT陣列基板包括：設置在第一襯底基板上的公共電極、設置在所述公共電極上的絕緣保護層以及設置在所述絕緣保護層上的第一像素電極和第二像素電極；所述絕緣保護層在所述第一像素電極和第二像素電極之間設有暴露出所述公共電極的開孔。

為實現上述目的，本發明還提供了一種FFS型液晶顯示器的制備方法，所述制備方法包括以下步驟：步驟1、提供一第一襯底基板，在所述第一襯底基板上形成公共電極；步驟2、在所述公共電極上形成絕緣保護層；步驟3、在所述絕緣保護層上形成像素電極層；步驟4、通過光刻制程在所述像素電極層上形成第一像素電極和第二像素電極，同時在所述第一像素電極和第二像素電極之間的所述絕緣保護層上形成暴露出所述公共電極的開孔。

本發明的優點在于，在現有制程基礎上，通過一道光刻制程將兩像素電極及其與公共電極間的絕緣保護層刻蝕出所需圖形制備而成，無需增加光刻制程。像素電極與公共電極間形成縱向離子分散通道，有效減少像素電極上方離子電荷的聚集，解決了影響液晶顯示器品質的殘像問題，在有效改善液晶顯示器的同時節省生產成本。

附圖說明

圖1，現有的FFS型液晶顯示器結構示意圖；

圖2，現有的FFS型液晶顯示器離子聚集效應示意圖；

圖3，本發明所述的FFS型液晶顯示器結構示意圖；

圖4，本發明所述的FFS型液晶顯示器離子分散效應示意圖；

圖5，本發明所述的FFS型液晶顯示器的制備方法的流程圖；

圖6，本發明所述的FFS型液晶顯示器的制備方法步驟1的示意圖；

圖7，本發明所述的FFS型液晶顯示器的制備方法步驟2的示意圖；

圖8，本發明所述的FFS型液晶顯示器的制備方法步驟3的示意圖；

圖9，本發明所述的FFS型液晶顯示器的制備方法步驟4的示意圖；

圖10，本發明所述的FFS型液晶顯示器的制備方法步驟41的示意圖；

圖11，本發明所述的FFS型液晶顯示器的制備方法步驟42的示意圖；