[發明專利]半導體管芯切割及由此形成的結構

有效

• 申請號: 201710629551.8
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN107665819B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 張富程;黃震麟;陳文明
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/78;H01L27/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體器件的方法，包括：

接收晶圓，所述晶圓包括

第一集成電路管芯；

第二集成電路管芯；以及

劃線區，位于所述第一集成電路管芯和所述第二集成電路管芯之間；以及

在所述劃線區中形成切口，其中，所述切口延伸穿過多個介電層至半導體襯底內，以及其中，所述切口包括：

位于所述多個介電層與所述半導體襯底之間的界面處的第一寬度；以及

位于所述多個介電層的與所述半導體襯底相對的表面處的第二寬度，其中，所述第二寬度與所述第一寬度的比率至少為0.6，其中，在所述多個介電層至所述半導體襯底的方向上，所述切口的相對側壁之間的寬度的變化趨勢為先增大后減小。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述切口的底面與所述切口的側壁之間的角度為90°至135°。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括在形成所述切口之后，使用機械鋸切工藝以將所述第一集成電路管芯與所述第二集成電路管芯完全分離。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述機械鋸切工藝包括使用具有第三寬度的鋸片，其中，所述第三寬度小于所述第一寬度。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述劃線區中形成所述切口包括激光燒蝕工藝。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述激光燒蝕工藝還在所述多個介電層的側壁上和所述半導體襯底的側壁上形成重鑄區。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，所述激光燒蝕工藝包括：

在所述劃線區中的第一位置處施加第一激光束；

在施加所述第一激光束之后，在所述劃線區中的第二位置處施加第二激光束；以及

在施加所述第二激光束之后，在所述劃線區中的第三位置處施加第三激光束，其中，所述第二位置在所述第一位置和所述第三位置之間。

8.根據權利要求5所述的方法，其中，所述激光燒蝕工藝包括：

在所述劃線區中的第一位置處施加第一激光束；

在施加所述第一激光束之后，在所述劃線區中的第二位置處施加第二激光束；以及

在施加所述第二激光束之后，在所述劃線區中的第三位置處施加第三激光束，其中，所述第三位置在所述第一位置和所述第二位置之間。

9.一種形成半導體器件的方法，包括：

從晶圓切割半導體管芯，其中，切割所述半導體管芯包括：

使用多個激光束在與所述半導體管芯相鄰的劃線區中形成切口，其中，所述切口延伸穿過多個介電層并且部分地延伸至半導體襯底內；

將鋸片與所述切口對準，其中，在所述多個介電層和所述半導體襯底之間的界面處，所述鋸片比所述切口更窄；以及

使用所述鋸片鋸穿所述半導體襯底的由所述切口暴露的底部，其中，在所述多個介電層至所述半導體襯底的方向上，所述切口的相對側壁之間的寬度的變化趨勢為先增大后減小。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括在切割所述半導體管芯之后，使用多個導電連接件將所述半導體管芯接合至另一管芯，其中，在接合所述半導體管芯之后，所述半導體管芯包括：

第一側壁；以及

第二側壁，位于所述第一側壁下方，其中，所述第一側壁與所述第二側壁橫向間隔開。

11.根據權利要求10所述的方法，還包括在所述多個導電連接件周圍形成密封劑，其中，所述密封劑沿著所述第二側壁延伸。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第一側壁在所述多個介電層與所述半導體襯底之間的所述界面處與所述第二側壁橫向間隔開第一距離，其中，所述第一側壁在所述多個介電層的與所述半導體襯底相對的表面處與所述第二側壁間隔開第二距離，其中，所述第一距離在10μm至20μm之間，以及其中，所述第二距離至少為10μm。