[發明專利]制造具有優良封裝氣密性的鋁合金電子器件的方法

有效

• 申請號: 201710627401.3
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN107335937B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 唐建超;鄧偉;唐文駿;王進
• 申請（專利權）人: 成都盤涅科技有限公司
• 主分類號: B23K31/02
• 分類號: B23K31/02;C23C24/10;B23K101/36
• 代理公司: 成都中璽知識產權代理有限公司 51233
• 代理人: 譚昌馳;邢偉

1.一種制造具有優良封裝氣密性的鋁合金電子器件的方法，所述方法包括以下步驟：

將電子元件置于鋁合金殼體中，對鋁合金殼體的縫隙進行焊接；

對所述焊接形成的焊縫進行清潔處理；

設置覆蓋焊縫外表面的待熔覆粉末層，進行激光熔覆并控制熔覆溫度始終不高于第一溫度，以在所述焊縫上形成致密結合層，其中，所述第一溫度為所述電子元件的溫度耐受上限值，

其中，所述具有優良封裝氣密性是指：形成的致密結合層均不含有貫穿孔和裂紋，致密結合層表面上的封閉氣孔的尺寸均小于220μm，且在每10mm²表面上含有直徑大于100μm且小于220μm的封閉氣孔的數量不超過6個。

2.根據權利要求1所述的制造具有優良封裝氣密性的鋁合金電子器件的方法，其特征在于，所述待熔覆粉末由按重量份計1～10份的第一粉末和1份的第二粉末混合而成，其中，第一粉末的成分與鋁合金基體的成分相同或與鋁合金基體的成分有60～90wt％以上相同；第二粉末為鋁基硬釬劑。

3.根據權利要求1所述的制造具有優良封裝氣密性的鋁合金電子器件的方法，其特征在于，所述待熔覆粉末層的厚度在0.1～0.75mm的范圍內選擇。

4.根據權利要求1所述的制造具有優良封裝氣密性的鋁合金電子器件的方法，其特征在于，所述方法通過控制激光輸入功率、離焦量、脈沖頻率、熔覆掃描速度和外加冷卻夾具的冷卻效率中的一項或兩項以上的組合來實現控制激光熔覆的溫度不高于第一溫度。

5.根據權利要求4所述的制造具有優良封裝氣密性的鋁合金電子器件的方法，其特征在于，所述方法通過控制激光輸入功率、離焦量、脈沖頻率和熔覆掃描速度來實現控制激光熔覆的溫度不高于100℃，且激光輸入功率控制在300～1500W的范圍內，脈沖頻率控制在20～5000HZ的范圍內，熔覆掃描速度控制在100～1000mm/min的范圍內，離焦量控制在-2mm～+5mm的范圍內。

6.一種提高鋁合金電子器件封裝氣密性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

對通過焊接完成封裝的鋁合金電子器件的焊縫進行清潔處理；

設置覆蓋焊縫外表面的待熔覆粉末層，進行激光熔覆并控制熔覆溫度始終不高于第一溫度，以在所述焊縫上形成致密結合層，其中，所述第一溫度為所述電子元件的溫度耐受上限值，其中，所述形成致密結合層均不含有貫穿孔和裂紋，致密結合層表面上的封閉氣孔的尺寸均小于220μm，且在每10mm²表面上含有直徑大于100μm且小于220μm的封閉氣孔的數量不超過6個。

7.根據權利要求6所述的提高鋁合金電子器件封裝氣密性的方法，其特征在于，所述待熔覆粉末由按重量份計1～10份的第一粉末和1份的第二粉末混合而成，其中，第一粉末的成分與鋁合金基體的成分相同或與鋁合金基體的成分有60～90wt％以上相同；第二粉末為鋁基硬釬劑。

8.根據權利要求6所述的提高鋁合金電子器件封裝氣密性的方法，其特征在于，所述待熔覆粉末層的厚度在0.1～0.75mm的范圍內選擇。

9.根據權利要求6所述的提高鋁合金電子器件封裝氣密性的方法，其特征在于，所述方法通過控制激光輸入功率、離焦量、脈沖頻率、熔覆掃描速度和外加冷卻夾具的冷卻效率中的一項或兩項以上的組合來實現控制激光熔覆的溫度不高于第一溫度。

10.根據權利要求9所述的提高鋁合金電子器件封裝氣密性的方法，其特征在于，所述方法通過控制激光輸入功率、離焦量、脈沖頻率和熔覆掃描速度來實現控制激光熔覆的溫度不高于100℃，且激光輸入功率控制在300～1500W的范圍內，脈沖頻率控制在20～5000HZ的范圍內，熔覆掃描速度控制在100～1000mm/min的范圍內，離焦量控制在-2mm～+5mm的范圍內。