[發明專利]半導體晶片以及制備半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201710626632.2
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN107665818B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: M·J·塞登
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L23/544
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種減薄半導體晶片的方法，所述方法包括：

提供包括基礎材料的半導體晶片，所述基礎材料在所述基礎材料的第一表面和第二表面之間具有第一厚度，取向凹口形成在所述半導體晶片的側表面；

在所述基礎材料的所述第一表面上提供與所述取向凹口相鄰且與所述取向凹口對準的晶片劃線識別標記；以及

移除所述基礎材料的第二表面的內部區域的一部分，以留下小于所述第一厚度的第二厚度的所述基礎材料以及所述基礎材料的邊緣支撐環，所述邊緣支撐環具有所述第一厚度和圍繞所述半導體晶片的非對稱寬度，其中所述晶片劃線識別標記完全設置在所述邊緣支撐環內；

其中所述邊緣支撐環的一部分在所述晶片劃線識別標記處較寬以容納完全包含在所述邊緣支撐環內的所述取向凹口和所述晶片劃線識別標記，而在其它處較窄，并且

其中所述邊緣支撐環的所述第一厚度圍繞所述半導體晶片一致。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述基礎材料的所述第二厚度小于75微米。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述基礎材料的所述第二表面的所述內部區域的所移除的部分與所述晶片劃線識別標記垂直偏移。

4.一種減薄半導體晶片的方法，所述方法包括：

提供包括基礎材料的半導體晶片，所述基礎材料在所述基礎材料的第一表面和第二表面之間具有第一厚度；

在所述基礎材料的所述第一表面上提供直線取向的晶片劃線識別標記；以及

從所述第二表面移除所述基礎材料的一部分，同時留下圍繞所述半導體晶片的具有非對稱寬度的所述基礎材料的邊緣支撐環；

其中所述晶片劃線識別標記設置在所述邊緣支撐環內，所述邊緣支撐環的一部分在所述晶片劃線識別標記處較寬以容納完全包含在所述邊緣支撐環內的所述晶片劃線識別標記，而在其它處較窄；

其中所述非對稱寬度的最寬寬度比所述非對稱寬度的最窄寬度寬1.5毫米-2.0毫米；并且

其中所述邊緣支撐環具有圍繞所述半導體晶片的一致的高度。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述基礎材料的剩余部分的厚度在從所述第二表面移除所述基礎材料的所述一部分之后小于75微米。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述基礎材料的所移除的部分與所述晶片劃線識別標記垂直偏移。

7.一種減薄半導體晶片的方法，所述半導體晶片包括具有第一厚度的基礎材料，所述方法包括：

在所述基礎材料的第一表面上提供直線取向的晶片劃線識別標記；以及

形成所述基礎材料的第二表面的內部區域，所述內部區域具有小于所述第一厚度的第二厚度的所述基礎材料，并留下所述基礎材料的邊緣支撐環，所述邊緣支撐環具有所述第一厚度以及圍繞所述半導體晶片的非對稱寬度；

其中所述晶片劃線識別標記設置在所述邊緣支撐環內，所述邊緣支撐環的一部分在所述晶片劃線識別標記處較寬以容納完全包含在所述邊緣支撐環內的所述晶片劃線識別標記，而在其它處較窄；

其中所述非對稱寬度的最寬寬度比所述非對稱寬度的最窄寬度寬1.5毫米-2.0毫米；并且

其中所述邊緣支撐環的所述第一厚度圍繞所述半導體晶片一致。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述基礎材料的所述第二厚度小于75微米。

9.根據權利要求7所述的方法，其中所述基礎材料的所述內部區域與所述晶片劃線識別標記垂直偏移。