[發(fā)明專利]異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710626481.0
• 申請日: 2017-07-27
• 公開（公告）號: CN107393996B
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊黎飛;張聞斌;李杏兵
• 申請（專利權(quán)）人: 協(xié)鑫集成科技股份有限公司;協(xié)鑫集成科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L31/072
• 分類號: H01L31/072;H01L31/18
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 王樂

本發(fā)明涉及一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其包括晶體硅片、第一本征層、第一摻雜非晶硅層、第一電極及第二電極；在晶體硅片靠近第一本征層的表面向內(nèi)形成有重?fù)诫s帶；重?fù)诫s帶與晶體硅片的外緣線的間距為0.1～0.5mm；重?fù)诫s帶與晶體硅片反型。該電池由于在邊緣形成重?fù)诫s帶；從而在邊緣形成局部少數(shù)載流子加強(qiáng)收集區(qū)域，避免了邊緣區(qū)域鈍化效果差的問題，抑制了邊緣少數(shù)載流子復(fù)合，進(jìn)而提高電池的開路電壓及填充因子，最終提高了光電轉(zhuǎn)化效率。另因有重?fù)诫s帶，從而使邊緣區(qū)域?qū)ι贁?shù)載流子的導(dǎo)電性提高，提高邊緣區(qū)域?qū)τ谳d流子的收集效率，提高異質(zhì)結(jié)太陽能電池的短路電流，最終也提高了光電轉(zhuǎn)化效率。本發(fā)明還提供了一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法。

背景技術(shù)

異質(zhì)結(jié)太陽能電池是一種典型的高效太陽能電池，其具有溫度系數(shù)低，無光致衰減效應(yīng)(LID)，無電勢誘發(fā)衰減效應(yīng)(PID)、以及可以雙面發(fā)電等特點(diǎn)。太陽能電池的實(shí)際發(fā)電量可以比同標(biāo)稱功率的多晶硅電池高出15％～30％，尤其適合分布式發(fā)電市場的應(yīng)用。

傳統(tǒng)的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，一般由晶體硅片、摻雜非晶硅層、位于晶體硅片與摻雜非晶硅層之間的本征層、以及第一、第二電極構(gòu)成。

但是，傳統(tǒng)的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率有待進(jìn)一步提高。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對現(xiàn)有的異質(zhì)結(jié)太陽能電池光電轉(zhuǎn)化效率有待進(jìn)一步提高的問題，提供一種新型的異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)，其可提高光電轉(zhuǎn)化效率。

一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，包括：

晶體硅片；

第一摻雜非晶硅層，位于所述晶體硅片的一側(cè)，且與所述晶體硅片構(gòu)成異質(zhì)PN結(jié)；

第一本征層，位于所述晶體硅片與所述第一摻雜非晶硅層之間；

第一電極，位于所述第一摻雜非晶硅層的外側(cè)；

以及第二電極，位于所述晶體硅片的另一側(cè)；

在所述晶體硅片靠近所述第一本征層的一側(cè)表面向內(nèi)形成有重?fù)诫s帶；所述重?fù)诫s帶與所述晶體硅片的外緣線之間的間距為0.1mm～0.5mm；所述重?fù)诫s帶與所述晶體硅片反型。

上述異質(zhì)結(jié)太陽能電池，由于在晶體硅片的邊緣形成重?fù)诫s帶；從而在邊緣形成局部少數(shù)載流子加強(qiáng)收集區(qū)域，避免了現(xiàn)有技術(shù)中邊緣區(qū)域鈍化效果差的問題，這樣抑制了邊緣區(qū)域的少數(shù)載流子復(fù)合，進(jìn)而提高異質(zhì)結(jié)太陽能電池的開路電壓、以及填充因子，最終提高了異質(zhì)結(jié)太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率。另外，由于在邊緣形成有重?fù)诫s帶，從而使邊緣區(qū)域?qū)ι贁?shù)載流子的導(dǎo)電性提高，提高邊緣區(qū)域?qū)τ谳d流子的收集效率，提高異質(zhì)結(jié)太陽能電池的短路電流，最終也提高了異質(zhì)結(jié)太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述重?fù)诫s帶的寬度為0.5mm～2mm。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述重?fù)诫s帶的深度為0.1μm～0.6μm。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述重?fù)诫s帶的摻雜濃度為1×10¹⁸cm^-3～1×10²⁰cm^-3。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述晶體硅片為N型，所述第一摻雜非晶硅層為P型，所述重?fù)诫s帶為P型。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述異質(zhì)結(jié)太陽能電池還包括第一透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層位于所述第一摻雜非晶硅層與所述第一電極之間。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一透明導(dǎo)電層的外緣線與所述晶體硅片的外緣線之間的間距為0.5mm～2mm。