[發明專利]石英上拱形結構及下拱形結構在審
| 申請號: | 201710626296.1 | 申請日: | 2013-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN107658245A | 公開(公告)日: | 2018-02-02 |
| 發明(設計)人: | 常安忠;保羅·布里爾哈特;穆罕默德·圖格魯利·薩米爾;安·N·阮;凱拉什·基蘭·帕塔雷;蘇拉吉特·庫馬爾;史蒂夫·阿博阿杰;戴維·K·卡爾森;薩瑟施·庫珀奧;約瑟夫·M·拉內什;歐勒格·塞雷布里安諾夫;姚東明;劉樹坤;朱作明;赫爾曼·迪尼茲 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國,趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 石英 拱形 結構 | ||
1.一種襯墊組件,包括:
下襯墊;
上襯墊,所述上襯墊設置在所述下襯墊上;
排氣襯墊,所述排氣襯墊設置在所述上襯墊上,所述排氣襯墊具有切口;
注射器襯墊,所述注射器襯墊設置在所述排氣襯墊的所述切口中,所述上襯墊、所述下襯墊、所述排氣襯墊和所述注射器襯墊一起界定圓柱形內表面,所述注射器襯墊包括:
設置在第一高度處的多個第一入口;和
設置在第二高度處的多個第二入口,所述第二高度在所述第一高度之下,所述多個第一入口沿第一方向延伸,且所述多個第二入口沿第二方向延伸,其中所述第一方向相對于所述第二方向成約5°至約30°的角度;
氣體入口端口;
氣體出口端口,所述氣體出口端口與所述氣體入口端口相對;和
裝載端口,所述裝載端口、所述氣體入口端口和所述氣體出口端口相對于彼此角度偏移約90°。
2.如權利要求1所述的襯墊組件,進一步包括:
第一組氣體通路,所述第一組氣體通路與所述多個第一入口流體連通;
第二組氣體通路,所述第二組氣體通路與所述多個第二入口流體連通,其中所述第一組氣體通路和所述第二組氣體通路交替地排列。
3.如權利要求2所述的襯墊組件,進一步包括:
第一入口通道,所述第一入口通道設置在所述多個第一入口與所述第一組氣體通路之間,所述第一入口通道沿第三方向延伸且所述第一組氣體通路沿第四方向延伸,所述第三方向正交于所述第四方向;和
第二入口通道,所述第二入口通道設置在所述多個第二入口與所述第二組氣體通路之間。
4.如權利要求3所述的襯墊組件,其中所述多個第一入口相對于所述多個第二入口垂直地偏移布置。
5.如權利要求3所述的襯墊組件,其中所述多個第一入口被布置成與所述多個第二入口垂直對準。
6.一種用于處理基板的處理腔室,所述處理腔室包括:
上拱形結構;
下拱形結構,所述下拱形結構被設置成與所述上拱形結構相對,所述下拱形結構具有中心開口;
基環,所述基環設置于所述上拱形結構與所述下拱形結構之間,所述上拱形結構、所述下拱形結構和所述基環界定所述處理腔室的內部區域,所述基環包括:
氣體入口;
氣體出口,所述氣體出口與所述氣體入口相對;和
基板裝載端口;
基板支撐件,所述基板支撐件設置在所述處理腔室內,所述基板支撐件包括基板接收表面;和
襯墊組件,所述襯墊組件嵌套于所述基環內且被所述基環支撐,所述襯墊組件包括:
下襯墊;
上襯墊,所述上襯墊設置在所述下襯墊上;
排氣襯墊,所述排氣襯墊設置在所述上襯墊上,所述排氣襯墊具有切口;
注射器襯墊,所述注射器襯墊設置在所述排氣襯墊的所述切口中且與所述基環的所述氣體入口對應,所述上襯墊、所述下襯墊、所述排氣襯墊和所述注射器襯墊具有圓柱形內部直徑,所述注射器襯墊包括:
設置在第一高度處的多個第一入口;和
設置在第二高度處的多個第二入口,所述第二高度在所述第一高度之下,所述多個第一入口沿第一方向延伸,且所述多個第二入口沿第二方向延伸,其中所述第一方向相對于所述第二方向成一角度;
氣體入口端口,所述氣體入口端口被設置成與所述基環的所述氣體入口對應;
氣體出口端口,所述氣體出口端口被設置成與所述基環的所述氣體出口對應;和
裝載端口,所述裝載端口被設置成與所述基環的所述基板裝載端口對應,其中所述裝載端口、所述氣體入口端口和所述氣體出口端口相對于彼此有角度地偏移。
7.如權利要求6所述的處理腔室,其中所述角度是約5°至約30°。
8.如權利要求6所述的處理腔室,其中所述注射器襯墊進一步包括:
第一組氣體通路,所述第一組氣體通路與所述多個第一入口流體連通;
第二組氣體通路,所述第二組氣體通路與所述多個第二入口流體連通,其中所述第一組氣體通路和所述第二組氣體通路交替地排列。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





