[發明專利]一種具有抗單粒子效應的VDMOS器件

有效

• 申請號: 201710625741.2
• 申請日: 2017-07-27
• 公開（公告）號: CN107302025B
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 任敏;林育賜;蘇志恒;謝馳;李澤宏;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種具有抗單粒子效應的VDMOS器件，其特征在于：從下至上依次層疊設置漏極金屬電極(10)、重摻雜第一導電類型半導體襯底(9)、第一導電類型半導體外延層(8)、源極金屬電極(1)；所述第一導電類型半導體外延層(8)內部上方具有第二導電類型半導體體區(6)、第二導電類型半導體柱(11)和第一導電類型半導體區(12)；所述第一導電類型半導體區(12)的摻雜濃度是第一導電類型半導體外延層(8)的10倍以上，所述第二導電類型半導體柱(11)位于兩個第二導電類型半導體體區(6)之間，第二導電類型半導體柱(11)上表面與源極金屬電極(1)連接，所述第一導電類型半導體區(12)位于第二導電類型半導體體區(6)與第二導電類型半導體柱(11)之間；所述第一導電類型半導體外延層(8)上表面與源極金屬(1)之間具有柵極結構和介質層(4)；所述柵極結構由柵氧化層(3)以及位于柵氧化層(3)上表面的多晶硅柵(2)構成，所述多晶硅柵(2)完全覆蓋第一導電類型半導體區(12)；所述第二導電類型半導體體區(6)中具有第一導電類型半導體源區(5)、第二導電類型半導體體接觸區(7)、以及第一導電類型半導體埋層(13)；所述第一導電類型半導體源區(5)和第二導電類型半導體體接觸區(7)的上表面均與源極金屬電極(1)連接；所述第一導電類型半導體埋層(13)位于第一導電類型半導體源區(5)和第二導電類型半導體體接觸區(7)的側面及底部區域，第一導電類型半導體埋層(13)將第一導電類型半導體源區(5)和第二導電類型半導體體接觸區(7)完全包圍，第一導電類型半導體埋層(13)與第一導電類型半導體源區(5)和第二導電類型半導體體接觸區(7)之間通過第二導電類型半導體體區(6)間隔，第一導電類型半導體埋層(13)與第一導電類型半導體外延層(8)之間通過第二導電類型半導體體區(6)間隔。

2.根據權利要求1所述的一種具有抗單粒子效應的VDMOS器件，其特征在于：所述柵極結構為槽柵結構。

3.根據權利要求1或2所述的一種具有抗單粒子效應的VDMOS器件，其特征在于：第一導電類型為P型，第二導電類型為N型；或者第一導電類型為N型，第二導電類型為P型。