[發明專利]離子注入設備和離子注入方法

在審

• 申請號: 201710625545.5
• 申請日: 2017-07-27
• 公開（公告）號: CN107346724A
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 黃奔
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01L21/266
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 李慶波

1.一種離子注入設備，其特征在于，所述離子注入設備包括掩膜板、第一傳送裝置以及相導通的離子產生機構和制程腔室，所述離子產生機構用于產生離子，所述制程腔室中設置有預定工位，所述第一傳送裝置用于將待摻雜基板傳送至所述預定工位，所述掩膜板設置于所述預定工位的上方，所述掩膜板設置有開口區，所述開口區用于與所述待摻雜基板的摻雜區對齊，使得所述離子通過所述開口區注入所述摻雜區。

2.根據權利要求1所述的離子注入設備，其特征在于，所述離子注入設備還包括設置于所述離子產生機構和制程腔室之間的匯聚磁場機構，所述匯聚磁場機構用于調整所述離子使其沿同一方向運動。

3.根據權利要求1所述的離子注入設備，其特征在于，所述離子注入設備還包括設置于所述制程腔室中的對位機構，所述對位機構用于監測所述掩膜板的開口區是否與所述待摻雜基板的摻雜區對齊。

4.根據權利要求1所述的離子注入設備，其特征在于，所述離子注入設備進一步包括第二傳送裝置，所述第二傳送裝置用于將所述掩膜板傳送至所述預定工位的上方。

5.根據權利要求4所述的離子注入設備，其特征在于，所述離子注入設備還包括同步機構，所述同步機構與所述第一傳送裝置和第二傳送裝置連接，用于控制所述第一傳送裝置和第二傳送裝置同步運動。

6.一種離子注入方法，其特征在于，所述離子注入方法包括：

第一傳送裝置將待摻雜基板傳送至制程腔室中的預定工位；

提供一掩膜板并將所述掩膜板設置于所述預定工位的上方，其中所述掩膜板的開口區與所述待摻雜基板的摻雜區對齊；

離子產生機構產生離子，使得所述離子通過所述掩膜板的開口區注入所述待摻雜基板的摻雜區。

7.根據權利要求6所述的離子注入方法，其特征在于，所述離子產生機構產生離子之后，所述離子注入方法還包括：

匯聚磁場機構調整所述離子使其沿同一方向運動。

8.根據權利要求6所述的離子注入方法，其特征在于，將所述掩膜板設置于所述預定工位的上方之后，所述離子注入方法還包括：

對位機構監測所述開口區是否與所述待摻雜基板的摻雜區對齊；

在所述對位機構監測到所述開口區與所述摻雜區對齊時，所述離子產生機構產生離子。

9.根據權利要求6所述的離子注入方法，其特征在于，通過第二傳送裝置將所述掩膜板傳送至所述預定工位的上方。

10.根據權利要求9所述的離子注入方法，其特征在于，通過同步機構控制所述第一傳送裝置和第二傳送裝置同步運動。