[發明專利]顯示基板及其驅動方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201710625120.4 | 申請日: | 2017-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN107221557A | 公開(公告)日: | 2017-09-29 |
| 發明(設計)人: | 班圣光;曹占鋒;姚琪;羅程遠;周翔 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 羅瑞芝,陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 驅動 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種顯示基板及其驅動方法、顯示裝置。
背景技術
OLED(Organic Light-Emitting Diode:有機發光二極管)顯示裝置是目前發展較快的一種平板顯示產品。OLED顯示裝置的顯示原理是由薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)和存儲電容(Storage Capacitor,簡稱Cs)提供驅動電流,控制OLED的發光進行圖像顯示。通常情況下,每一OLED均設置一驅動結構,在分辨率不高的情況下,這種像素結構在制程和成本方面不存在顯著的問題。
但是隨著人們對于高分辨率(Pixels Per Inch,簡稱PPI)、窄邊框以及低功耗的顯示產品需求的日益增大,對于像素結構的制備方法提出了極高的要求,特別是對制備工藝的極限帶來極大的挑戰。例如,高分辨率顯示面板需要線寬保證在一定值以下,因此也需要曝光機的精度達到一定的要求,而現有曝光機的精度已經很難滿足高PPI的顯示面板的需求;另外,大多數薄膜晶體管的制備都需要用到刻蝕工藝,當線寬值小于一定值時,將會大幅度增大濕刻工藝后斷線的幾率,濕刻工藝大的關鍵尺寸偏移(CD bias)決定了濕刻技術較難滿足細線寬的要求。鑒于上述原因可知,現有的顯示基板制備技術已經很難滿足日益增長的高PPI顯示產品的需求。
如何在有限的工藝設備和制備方法條件下,實現高分辨率顯示產品的設計,成為目前亟待解決的技術問題。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中上述不足,提供一種顯示基板及其驅動方法、顯示裝置,至少解決了如何在有限的工藝設備和制備方法條件下,實現高分辨率顯示產品的設計的問題。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是該顯示基板,劃分為多個像素區,每一所述像素區內均設置有發光器件,相隔N個所述像素區內的兩個所述發光器件作為一組共用同一驅動結構,所述驅動結構設置于同組的兩個所述發光器件所在的其中一個所述像素區內,其中:N為大于等于0的整數。
優選的是,所述發光器件至少包括層疊設置的陰極、發光層和陽極,同組的兩個所述發光器件中,陰極、發光層和陽極具有相反的層疊順序。
優選的是,所述驅動結構包括參考地輸出端和數據信號輸出端;所述數據信號輸出端分別與同組的兩個所述發光器件的陽極和陰極連接,所述參考地輸出端分別與同組的兩個所述發光器件的陰極和陽極連接。
優選的是,在所述發光器件中,陽極與發光層之間還包括空穴注入層、空穴傳輸層中的至少一層;發光層與陰極之間還包括空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一層。
優選的是,所述驅動結構至少包括一個選通薄膜晶體管和兩個驅動薄膜晶體管,同組的兩個所述發光器件共用同一所述選通薄膜晶體管,同組的兩個所述發光器件各用一個所述驅動薄膜晶體管。
優選的是,相鄰所述像素區之間交叉設置有掃描線和數據線,所述選通薄膜晶體管與同組的兩個所述發光器件所在的所述像素區對應的兩根所述掃描線分別連接,所述驅動薄膜晶體管與同組的兩個所述發光器件所在的所述像素區對應的兩根所述數據線分別連接。
優選的是,同組的兩個所述發光器件位于同行的任兩個所述像素區內,或者,位于同列的任兩個所述像素區內。
一種上述顯示基板的驅動方法,在相隔N幀的圖像顯示期,所述驅動結構對同組的兩個所述發光器件分時驅動,使得同組的兩個所述發光器件不同時發光,其中:N為大于等于0的整數。
優選的是,同組的兩個所述發光器件的發光時間相同。
一種顯示裝置,包括上述的顯示基板。
本發明的有益效果是:該顯示基板,通過一個驅動結構控制兩個像素區內的發光器件發光,能夠使得顯示基板的驅動結構減少一半的數量,減少薄膜晶體管的制造成本,有效的提升驅動薄膜晶體管的利用效率,降低顯示基板的制備工藝難度,同時大幅度降低制備成本。
附圖說明
圖1為本發明實施例1中顯示基板的局部示意圖;
圖2和圖3為本發明實施例1中同組的發光器件的結構示意圖;
圖4為本發明實施例1中顯示基板的一種驅動結構示意圖;
附圖標識中:
1-驅動結構;
2-發光器件;21-陽極;22-空穴注入層;23-空穴傳輸層;24-發光層;25-空穴阻擋層;26-電子傳輸層;27-電子注入層;28-陰極;
3-掃描線;
4-數據線;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





