[發(fā)明專利]一種化合物半導(dǎo)體器件的背面制程方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710624897.9
• 申請日: 2017-07-27
• 公開（公告）號: CN107579032B
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周澤陽;邱宗德;莊秉翰;魏鴻基;程海英;吳小琦
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/768;H01L21/78
• 代理公司: 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭;陳淑嫻

1.一種化合物半導(dǎo)體器件的背面制程方法，其特征在于包括以下步驟：

1)將已完成正面制程的III-V族化合物半導(dǎo)體晶片以正面向下的方式貼合于支撐材料上，進(jìn)行研磨減薄以及制作背面通孔的工藝；

2)于所述晶片背面沉積NiV層，所述NiV層由質(zhì)量分?jǐn)?shù)為90～97％的鎳以及3～10％的釩組成，厚度為3～200nm；

3)于所述NiV層上沉積TiW層，所述TiW層厚度為2～10nm；

4)于所述TiW層上沉積Au層，所述Au層的厚度為0.5～25μm；

5)將完成背面金屬制程的晶片與支撐材料分離，利用激光劃片技術(shù)，將激光聚焦在晶片背面并進(jìn)行二次掃描，其中第一次掃描形成深度為所述晶片總厚度40～60％的切槽，第二次掃描重復(fù)第一次掃描的路徑以將所述晶片切割成分立的芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件的背面制程方法，其特征在于：所述激光劃片的移動速度為100～400mm/s。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件的背面制程方法，其特征在于：所述激光的功率為3.0～6.5W。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件的背面制程方法，其特征在于：所述激光入射角度與所述晶片背面垂直。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件的背面制程方法，其特征在于：步驟1)中，所述晶片研磨減薄至70～120μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件的背面制程方法，其特征在于：所述第一次掃描形成平行第一方向的多個(gè)線狀第一切槽以及平行第二方向的多個(gè)線狀第二切槽，且所述第一方向和第二方向互相垂直。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件的背面制程方法，其特征在于：所述Au層是先沉積10～250nm的種子層，然后通過電鍍沉積形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件的背面制程方法，其特征在于：所述NiV層和TiW層通過磁控濺射原子沉淀積累在半導(dǎo)體芯片而形成薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件的背面制程方法，其特征在于：所述III-V族化合物半導(dǎo)體是砷化鎵，磷化銦或鎵氮化物。