[發明專利]具有氣隙間隔件的FINFET及其形成方法

有效

• 申請號: 201710622775.6
• 申請日: 2017-07-27
• 公開（公告）號: CN107665864B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 臧輝;齊民華
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種形成半導體裝置的方法，其特征為，該方法包括：

形成一柵極結構于一半導體鰭片的一通道區域的上方，其中，一源極區域與一漏極區域位于該通道區域的相對側上；

形成介電間隔件于該柵極結構的側壁上方以及一介電蓋體于該柵極結構的一頂部上方；

形成一導電層于該介電蓋體的上方以及位于相鄰的柵極結構的該介電間隔件之間的該源極區域與該漏極區域的上方；

形成通過該導電層至該介電蓋體的一頂面的一隔離孔；以及

形成一介電層于該隔離孔內。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征為，形成該介電層包括非共形沉積該介電層于該隔離孔內以及形成一氣隙于該柵極結構的該頂部上方的該介電層內。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征為，該隔離孔從該介電間隔件的側壁上方延伸。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征為，形成該介電層包括向該隔離孔中非共形沉積該介電層，并形成一氣隙于位于該介電間隔件的側壁上方的該介電層中。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征為，形成該介電層包括向該隔離孔中非共形沉積該介電層，并形成一氣隙于位于該柵極結構的該頂部上方以及該介電間隔件的側壁上方的該介電層中。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征為，該柵極結構的該頂部上方的該氣隙與該介電間隔件的該側壁上方的該氣隙合并。

7.一種半導體裝置，其特征為，該半導體裝置包括：

一半導體鰭片，其位于一半導體基板的上方；

一柵極結構，其位于該半導體鰭片的一通道區域的上方；

源極區域與漏極區域，其位于該通道區域的相對側上；

介電間隔件，其位于該柵極結構的側壁上方，及一介電蓋體，其位于該柵極結構的頂部上方；

一導電層，其位于相鄰的柵極結構的該介電間隔件之間的該源極區域與該漏極區域的上方；以及

一隔離介電質，其位于該柵極結構的頂部的上方且從該介電間隔件的側壁上方延伸，其中，該隔離介電質包括一第一氣隙及一第二氣隙，該第一氣隙位于該柵極結構的該頂部上方且完全被該隔離介電質包圍，而該第二氣隙位于該介電間隔件的該側壁上方。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征為，該第一氣隙的一寬度的范圍為該柵極結構的一寬度的30％至95％。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征為，從該介電間隔件的該側壁上方延伸的該隔離介電質不接觸該源極區域與漏極區域。

10.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征為，位于該介電間隔件的該側壁上方的該第二氣隙的高度的范圍為該柵極結構的一高度的30％至95％。

11.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征為，該導電層的一頂面位于該柵極結構的一頂面的上方。

12.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征為，該介電間隔件包括硅碳氮化合物以及該介電蓋體包括氮化硅。

13.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征為，該隔離介電質包括二氧化硅。