[發明專利]用于閃存的參數調整裝置、方法及設備

有效

• 申請號: 201710618754.7
• 申請日: 2017-07-26
• 公開（公告）號: CN109308161B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 蘇志強;李建新;劉璐
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明實施例公開了一種用于閃存的參數調整裝置、方法及設備。所述參數調整裝置包括：數據統計模塊，用于獲取閃存的用戶歷史操作數據并對所述用戶歷史操作數據進行數據統計；參數調整模塊，用于根據所述數據統計的結果調整閃存的參數設置，以適應所述用戶歷史操作數據對應的使用環境。通過本發明的技術方案，能夠實現閃存參數的自適應調整，提高閃存的適用性。

技術領域

本發明實施例涉及閃存技術，尤其涉及一種用于閃存的參數調整裝置、方法及設備。

背景技術

閃存FLASH作為一種非易失性半導體存儲器，受到各種電子設備的青睞，因此，不同的電子設備對FLASH提出了不同的要求。

在現有技術中為了保證FLASH的可靠性，以及滿足所需要的性能，在設計初期，FLASH內部的工作條件是可以調整的；在測試的過程中，確定滿足要求的工作條件，并將其固化，在用戶使用的過程中，FLASH的性能將不再發生變化。

由于現有技術中FLASH的參數性能不可調節，使得FLASH只能在所允許的工作環境下正常工作，一旦工作環境發生改變，則可能會導致FLASH在其他環境下的使用性能無法達到最優。

發明內容

本發明實施例提供一種用于閃存的參數調整裝置、方法及設備，以實現閃存參數的自適應調整，提高閃存的適用性。

第一方面，本發明實施例提供了一種用于閃存的參數調整裝置，該裝置包括：

數據統計模塊，用于獲取閃存的用戶歷史操作數據并對所述用戶歷史操作數據進行數據統計；

參數調整模塊，用于根據所述數據統計的結果調整閃存的參數設置，以適應所述用戶歷史操作數據對應的使用環境。

進一步的，所述用戶歷史操作數據包括：用戶歷史操作頻率和/或歷史數據存儲類型。

進一步的，所述參數設置包括：控制電壓、控制時間以及操作模式中的至少一個參數設置。

進一步的，所述參數調整模塊具體用于：

若所述數據統計的結果滿足預設操作模式條件，則調整閃存的參數設置，以適應與所述預設操作模式相對應的使用環境。

進一步的，所述預設操作模式包括：高速讀取模式、高速緩存模式、連續讀取模式、低功耗模式中的至少一種操作模式。

第二方面，本發明實施例還提供了一種用于閃存的參數調整方法，包括：

獲取閃存的用戶歷史操作數據并對所述用戶歷史操作數據進行數據統計；

根據所述數據統計的結果調整閃存的參數設置，以適應所述用戶歷史操作數據對應的使用環境。

進一步的，所述用戶歷史操作數據包括：用戶歷史操作頻率和/或歷史數據存儲類型。

進一步的，所述參數設置包括：控制電壓、控制時間以及操作模式中的至少一個參數設置。

進一步的，所述根據所述數據統計的結果調整閃存的參數設置，以適應所述用戶歷史操作數據對應的使用環境，包括：

若所述數據統計的結果滿足預設操作模式條件，則調整閃存的參數設置，以適應與所述預設操作模式相對應的使用環境。

進一步的，所述預設操作模式包括：高速讀取模式、高速緩存模式、連續讀取模式、低功耗模式中的至少一種操作模式。

第三方面，本發明實施例還提供了一種終端設備，該設備包括本發明實施例中任一所述的用于閃存的參數調整裝置。