[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710617231.0
• 申請日: 2017-07-26
• 公開（公告）號: CN108074822B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡易達(dá);林政平;林威宏;林志偉;鄭明達(dá);謝靜華;劉重希
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

1.一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，包括:

提供一承載基板；

形成一導(dǎo)電層于該承載基板上方；

形成一保護(hù)層于該導(dǎo)電層上方，其中該保護(hù)層包括多個開口暴露出該導(dǎo)電層的多個部分；

通過多個第一凸塊將多個集成電路晶粒接合至該導(dǎo)電層的所述多個部分，其中所述多個集成電路晶粒與該保護(hù)層之間具有一空間；

以一第一模塑化合物填入該空間，其中該第一模塑化合物圍繞所述多個第一凸塊和所述多個集成電路晶粒；

形成一第二模塑化合物覆蓋該第一模塑化合物和所述多個集成電路晶粒，其中該保護(hù)層具有通過該第二模塑化合物覆蓋的一側(cè)壁；

在該保護(hù)層上方形成多個第二凸塊，其中該導(dǎo)電層的一第一部分和所述多個第二凸塊的每一者的一第二部分延伸至該保護(hù)層中，且其中所述多個第二凸塊的每一者的該第二部分覆蓋該保護(hù)層的一傾斜側(cè)壁的一上部，該保護(hù)層的該傾斜側(cè)壁沿著從該集成電路晶粒朝向所述多個第一凸塊的一方向具有一錐形輪廓，且該導(dǎo)電層的該第一部分覆蓋該保護(hù)層的該傾斜側(cè)壁的一下部；以及

切割該第一模塑化合物和該保護(hù)層以形成該封裝結(jié)構(gòu)，其中該封裝結(jié)構(gòu)與該第二模塑化合物分開。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該集成電路晶粒具有耦接至所述多個第一凸塊的一主動面以及一非主動面，且其中該第一模塑化合物具有在該非主動面與該第二模塑化合物之間的一部分。

3.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，還包括移除該第二模塑化合物和該第一模塑化合物的該部分直到暴露出該非主動面，其中在移除該第二模塑化合物和該第一模塑化合物的該部分的期間，該第二模塑化合物持續(xù)覆蓋該保護(hù)層的側(cè)壁。

4.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該第一模塑化合物通過一浸沒成型工藝形成，且該第二模塑化合物通過一壓縮成型工藝形成。

5.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，還包括:

在填充該空間之后，移除該承載基板；

反轉(zhuǎn)該集成電路晶粒，使該第一模塑化合物和該第二模塑化合物支撐該集成電路晶粒；以及

在反轉(zhuǎn)該集成電路晶粒之后，形成多個所述第二凸塊，其中所述多個第二凸塊通過該導(dǎo)電層和所述多個第一凸塊電性連接至該集成電路晶粒。

6.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該第一模塑化合物和該第二模塑化合物鄰接該保護(hù)層的一頂表面。

7.一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

提供一承載基板；

形成一導(dǎo)電層于該承載基板上方；

形成一保護(hù)層于該導(dǎo)電層上方，其中該保護(hù)層包括多個開口暴露出該導(dǎo)電層的多個部分；

通過多個第一連接器將一集成電路晶粒接合至該導(dǎo)電層的所述多個部分，其中該集成電路晶粒具有耦接至所述多個第一連接器的一主動面以及一非主動面，且其中該保護(hù)層具有一側(cè)壁和一頂表面，且該保護(hù)層的該頂表面面向該集成電路晶粒的該主動面；

形成一第一封裝層覆蓋該保護(hù)層和該非主動面以圍繞所述多個第一連接器和該集成電路晶粒，其中該第一封裝層從該保護(hù)層的該側(cè)壁向內(nèi)縮；

形成一第二封裝層覆蓋該第一封裝層，其中該第二封裝層延伸至該保護(hù)層的該側(cè)壁；以及

在該保護(hù)層上方形成多個第二連接器，其中該導(dǎo)電層的一第一部分和所述多個第二連接器的每一者的一第二部分延伸至該保護(hù)層中，且其中所述多個第二連接器的每一者的該第二部分覆蓋該保護(hù)層的一傾斜側(cè)壁的一上部，該保護(hù)層的該傾斜側(cè)壁沿著從該集成電路晶粒朝向所述多個第一連接器的一方向具有一錐形輪廓，且該導(dǎo)電層的該第一部分覆蓋該保護(hù)層的該傾斜側(cè)壁的一下部。

8.如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該第二封裝層更沿著該保護(hù)層的該側(cè)壁延伸，以覆蓋并圍繞該保護(hù)層的該側(cè)壁。

9.如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，還包括薄化該第一封裝層和該第二封裝層，其中在薄化該第一封裝層和該第二封裝層的期間，該第二封裝層覆蓋該保護(hù)層的該側(cè)壁。