[發明專利]一種像素電路

在審

• 申請號: 201710617136.0
• 申請日: 2017-07-26
• 公開（公告）號: CN109308873A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 何學軍
• 申請（專利權）人: 何學軍
• 主分類號: G09G3/3225
• 分類號: G09G3/3225
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種像素電路，包括：第一晶體管TFT1、第二晶體管TFT2、第三晶體管TFT3、第四晶體管TFT4、第五晶體管TFT5、電容CS、有機發光二極管OLED和晶體管DTFT。本發明的有益效果為：電路結構簡單，成本較低，所用電子元器件較少。

技術領域

本發明涉及電路技術領域，尤其是一種像素電路。

背景技術

現有技術中，像素電路大多結構復雜，所用電子元器件較多，功能單一，成本高昂。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種像素電路，電路結構簡單，成本較低，所用電子元器件較少。

為解決上述技術問題，本發明提供一種像素電路，包括：第一晶體管TFT1、第二晶體管TFT2、第三晶體管TFT3、第四晶體管TFT4、第五晶體管TFT5、電容CS、有機發光二極管OLED和晶體管DTFT；第四晶體管TFT4的基極連接到第二晶體管TFT2的基極，第四晶體管TFT4的集電極連接電源，第四晶體管TFT4的發射極連接到晶體管DTFT的集電極；第三晶體管TFT3的基極連接第一晶體管TFT1的基極后連接到第五晶體管TFT5的基極，第三晶體管TFT3的集電極連接在第四晶體管TFT4的發射極與晶體管DTFT的集電極之間，第三晶體管TFT3的發射極連接在電容CS和晶體管DTFT的基極之間；第一晶體管TFT1的發射極直接連接到Vdata，第一晶體管TFT1的集電極連接電容CS后連接到晶體管DTFT的基極；第二晶體管TFT2的基極連接到第四晶體管TFT4的基極，第二晶體管TFT2的發射極直接接地；晶體管DTFT的發射極連接有機發光二極管OLED后接地，第五晶體管TFT5的集電極連接在晶體管DTFT的發射極與有機發光二極管之間，第五晶體管TFT5的發射極直接接地。

本發明的有益效果為：電路結構簡單，成本較低，所用電子元器件較少。

附圖說明

圖1是本發明的電路結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，一種像素電路，包括：第一晶體管TFT1、第二晶體管TFT2、第三晶體管TFT3、第四晶體管TFT4、第五晶體管TFT5、電容CS、有機發光二極管OLED和晶體管DTFT；第四晶體管TFT4的基極連接到第二晶體管TFT2的基極，第四晶體管TFT4的集電極連接電源，第四晶體管TFT4的發射極連接到晶體管DTFT的集電極；第三晶體管TFT3的基極連接第一晶體管TFT1的基極后連接到第五晶體管TFT5的基極，第三晶體管TFT3的集電極連接在第四晶體管TFT4的發射極與晶體管DTFT的集電極之間，第三晶體管TFT3的發射極連接在電容CS和晶體管DTFT的基極之間；第一晶體管TFT1的發射極直接連接到Vdata，第一晶體管TFT1的集電極連接電容CS后連接到晶體管DTFT的基極；第二晶體管TFT2的基極連接到第四晶體管TFT4的基極，第二晶體管TFT2的發射極直接接地；晶體管DTFT的發射極連接有機發光二極管OLED后接地，第五晶體管TFT5的集電極連接在晶體管DTFT的發射極與有機發光二極管之間，第五晶體管TFT5的發射極直接接地。

盡管本發明就優選實施方式進行了示意和描述，但本領域的技術人員應當理解，只要不超出本發明的權利要求所限定的范圍，可以對本發明進行各種變化和修改。