[發明專利]靜電放電保護元件

在審

• 申請號: 201710617014.1
• 申請日: 2017-07-26
• 公開（公告）號: CN109309084A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 謝志泓;曾清秋;許志維
• 申請（專利權）人: 敦南科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種靜電放電保護元件，其特征在于，該靜電放電保護元件包括：

一基底，具有一第一導電型，其中該基底上具有一第一元件區、一第二元件區以及一設于該第一元件區與該第二元件區之間的隔離區；

一磊晶層，設于該基底上，且具有一不同于該第一導電型的第二導電型；

一第一內部摻雜區與一第二內部摻雜區，分別設于該第一元件區與該第二元件區內，且接近該基底與該磊晶層的接面，其中該第一內部摻雜區具有該第二導電型，且該第二內部摻雜區具有該第一導電型；

一第一頂部摻雜區與一第二頂部摻雜區，分別設于該第一元件區與該第二元件區內，且分別從該磊晶層的表面外露，其中該第一頂部摻雜區具有該第一導電型，且該第二頂部摻雜區具有該第二導電型；及

一導電層，電性連接該第一頂部摻雜區與該第二頂部摻雜區。

2.根據權利要求1所述的靜電放電保護元件，其特征在于，該靜電放電保護元件還包括一設于該基底與該磊晶層之間的緩沖層，該緩沖層具有該第二導電型，且該第一內部摻雜區與該第二內部摻雜區進一步向下延伸至該緩沖層中。

3.根據權利要求1所述的靜電放電保護元件，其特征在于，該第一內部摻雜區與該第二內部摻雜區進一步水平延伸至該隔離區內。

4.根據權利要求3所述的靜電放電保護元件，其特征在于，該靜電放電保護元件還包括多個絕緣溝槽，至少一該絕緣溝槽設于該隔離區內，且從該磊晶層的表面向下延伸穿過該第一內部摻雜區與該第二內部摻雜區并延伸至該基底中，另一該絕緣溝槽設于該第一元件區內，且從該磊晶層的表面向下延伸穿過該第一內部摻雜區并延伸至該基底中，再一該絕緣溝槽設于該第二元件區內，且從該磊晶層的表面向下延伸穿過該第二內部摻雜區并延伸至該基底中。

5.根據權利要求4所述的靜電放電保護元件，其特征在于，該第一內部摻雜區包括至少兩個彼此分離的部分區段以及至少一個位于所述部分區段之間且相對于該第一頂部摻雜區的通道區段。

6.根據權利要求1所述的靜電放電保護元件，其特征在于，該靜電放電保護元件還包括一隔離層，該隔離層設于該磊晶層上，該導電層設于該隔離層上，并通過該隔離層接觸該第一頂部摻雜區與該第二頂部摻雜區。

7.根據權利要求1所述的靜電放電保護元件，其特征在于，該基底具有一介于0.001歐姆-公分與0.13歐姆-公分之間的電阻率，該磊晶層具有一介于14歐姆-公分與100歐姆-公分之間的電阻率，且具有一介于2微米與6微米之間的厚度。

8.根據權利要求1所述的靜電放電保護元件，其特征在于，該第一內部摻雜區與該第二內部摻雜區的寬度介于0.5微米至10微米之間，且摻雜濃度介于1E12原子/立方公分至1E17原子/立方公分之間。

9.根據權利要求1所述的靜電放電保護元件，其特征在于，該第一導電型為P型，且該第二導電型為N型。

10.根據權利要求1所述的靜電放電保護元件，其特征在于，該第一導電型為N型，且該第二導電型為P型。