[發(fā)明專(zhuān)利]光轉(zhuǎn)換的器件及其制備方法、紅外成像設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710616883.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109309102A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳崧;曹蔚然;楊一行;向超宇;錢(qián)磊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | TCL集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 深圳中一專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 官建紅 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光轉(zhuǎn)換 紅外成像設(shè)備 像素 制備 并列設(shè)置 出光效率 發(fā)光部件 感光部件 工藝難度 顯示器件 制備工藝 體積小 重量輕 襯底 感光 成像 打印 復(fù)制 | ||
1.一種光轉(zhuǎn)換的器件,其特征在于,所述器件包括:
襯底;
增益部件;
設(shè)置在所述襯底和所述增益部件之間的且并列設(shè)置的感光部件和發(fā)光部件;
其中,所述感光部件和所述發(fā)光部件通過(guò)所述增益部件連接。
2.如權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,工作狀態(tài)時(shí),所述感光部件將輸入的非可見(jiàn)光信號(hào)轉(zhuǎn)化為光生電子,所述光生電子通過(guò)所述增益部件注入所述發(fā)光部件,驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光部件發(fā)出可見(jiàn)光。
3.如權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,工作狀態(tài)時(shí),所述感光部件將輸入的非可見(jiàn)光信號(hào)轉(zhuǎn)化為光生電子,所述光生電子通過(guò)所述增益部件注入所述發(fā)光部件,并與注入所述發(fā)光部件的空穴復(fù)合后使所述發(fā)光部件產(chǎn)生光子,驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光部件發(fā)出可見(jiàn)光。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的器件,其特征在于,所述感光部件上表面被所述增益部件全部覆蓋,所述發(fā)光部件上表面被所述增益部件部分覆蓋。
5.如權(quán)利要求4所述的器件,其特征在于,所述增益部件為雙極性晶體管,所述雙極性晶體管的基極連接所述感光部件上表面,所述雙極性晶體管的發(fā)射極連接所述發(fā)光部件上表面。
6.如權(quán)利要求4所述的器件,其特征在于,所述增益部件為包括島狀導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體的混合結(jié)構(gòu),所述島狀導(dǎo)體分布在所述發(fā)光部件和感光部件上表面,所述島狀導(dǎo)體、所述感光部件上表面和所述發(fā)光部件上表面被所述n型半導(dǎo)體覆蓋。
7.如權(quán)利要求1、2、3、5或6任一項(xiàng)所述的器件,其特征在于,所述發(fā)光部件和感光部件按一比多的方式并列設(shè)置在所述襯底上,并聯(lián)連接的多個(gè)感光部件通過(guò)所述增益部件與多個(gè)并聯(lián)連接的發(fā)光部件連接。
8.如權(quán)利要求1、2、3、5或6任一項(xiàng)所述的器件,其特征在于,所述發(fā)光部件和感光部件按一比多的方式并列設(shè)置在所述襯底上,并聯(lián)連接的多個(gè)感光部件通過(guò)所述增益部件與一發(fā)光部件連接。
9.如權(quán)利要求1、2、3、5或6任一項(xiàng)所述的器件,其特征在于,所述器件包括多個(gè)感光部件和一個(gè)發(fā)光部件,并聯(lián)連接的多個(gè)感光部件通過(guò)所述增益部件與一發(fā)光部件連接。
10.如權(quán)利要求1、2、3、5或6任一項(xiàng)所述的器件,其特征在于,所述感光部件包括第一電極、第一空穴傳輸層、吸光層以及第一電子傳輸層,所述第一電極設(shè)置在所述襯底上,從所述第一電極至所述增益部件的結(jié)構(gòu)順序?yàn)樗龅谝豢昭▊鬏攲?、所述吸光層、所述第一電子傳輸層;?或所述發(fā)光部件包括第二電極、第二空穴傳輸層、發(fā)光層以及第二電子傳輸層,所述第二電極設(shè)置在所述襯底上,從所述第二電極至所述增益部件的結(jié)構(gòu)順序?yàn)榈诙昭▊鬏攲?、發(fā)光層以及第二電子傳輸層。
11.如權(quán)利要求10所述的器件,其特征在于,所述第一空穴傳輸層的材料和/或所述第二空穴傳輸層中的材料為有機(jī)空穴傳輸材料、氧化物空穴傳輸中的至少一種;和/或
所述第一電子傳輸層的材料和/或所述第二電子傳輸層中的材料為氧化物電子傳輸材料、硫化物電子傳輸材料、硫化物納米材料電子傳輸材料、有機(jī)電子傳輸材料中的至少一種。
12.如權(quán)利要求10所述的器件,其特征在于,所述吸光層的材料為無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶;和/或
所述發(fā)光層的材料為無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶、IV族單質(zhì)半導(dǎo)體發(fā)光材料、有機(jī)發(fā)光材料中的至少一種。
13.一種光轉(zhuǎn)換的器件的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
在襯底上形成并列設(shè)置的感光部件和發(fā)光部件;
在所述感光部件上表面和所述發(fā)光部件上表面設(shè)置增益部件,使所述感光部件和所述發(fā)光部件通過(guò)所述增益部件連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 一種紅外成像設(shè)備
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