[發(fā)明專利]光轉(zhuǎn)換的器件及其制備方法、紅外成像設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710616883.2 | 申請日: | 2017-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN109309102A | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳崧;曹蔚然;楊一行;向超宇;錢磊 | 申請(專利權(quán))人: | TCL集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 官建紅 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光轉(zhuǎn)換 紅外成像設(shè)備 像素 制備 并列設(shè)置 出光效率 發(fā)光部件 感光部件 工藝難度 顯示器件 制備工藝 體積小 重量輕 襯底 感光 成像 打印 復(fù)制 | ||
1.一種光轉(zhuǎn)換的器件,其特征在于,所述器件包括:
襯底;
增益部件;
設(shè)置在所述襯底和所述增益部件之間的且并列設(shè)置的感光部件和發(fā)光部件;
其中,所述感光部件和所述發(fā)光部件通過所述增益部件連接。
2.如權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,工作狀態(tài)時,所述感光部件將輸入的非可見光信號轉(zhuǎn)化為光生電子,所述光生電子通過所述增益部件注入所述發(fā)光部件,驅(qū)動所述發(fā)光部件發(fā)出可見光。
3.如權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,工作狀態(tài)時,所述感光部件將輸入的非可見光信號轉(zhuǎn)化為光生電子,所述光生電子通過所述增益部件注入所述發(fā)光部件,并與注入所述發(fā)光部件的空穴復(fù)合后使所述發(fā)光部件產(chǎn)生光子,驅(qū)動所述發(fā)光部件發(fā)出可見光。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的器件,其特征在于,所述感光部件上表面被所述增益部件全部覆蓋,所述發(fā)光部件上表面被所述增益部件部分覆蓋。
5.如權(quán)利要求4所述的器件,其特征在于,所述增益部件為雙極性晶體管,所述雙極性晶體管的基極連接所述感光部件上表面,所述雙極性晶體管的發(fā)射極連接所述發(fā)光部件上表面。
6.如權(quán)利要求4所述的器件,其特征在于,所述增益部件為包括島狀導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體的混合結(jié)構(gòu),所述島狀導(dǎo)體分布在所述發(fā)光部件和感光部件上表面,所述島狀導(dǎo)體、所述感光部件上表面和所述發(fā)光部件上表面被所述n型半導(dǎo)體覆蓋。
7.如權(quán)利要求1、2、3、5或6任一項(xiàng)所述的器件,其特征在于,所述發(fā)光部件和感光部件按一比多的方式并列設(shè)置在所述襯底上,并聯(lián)連接的多個感光部件通過所述增益部件與多個并聯(lián)連接的發(fā)光部件連接。
8.如權(quán)利要求1、2、3、5或6任一項(xiàng)所述的器件,其特征在于,所述發(fā)光部件和感光部件按一比多的方式并列設(shè)置在所述襯底上,并聯(lián)連接的多個感光部件通過所述增益部件與一發(fā)光部件連接。
9.如權(quán)利要求1、2、3、5或6任一項(xiàng)所述的器件,其特征在于,所述器件包括多個感光部件和一個發(fā)光部件,并聯(lián)連接的多個感光部件通過所述增益部件與一發(fā)光部件連接。
10.如權(quán)利要求1、2、3、5或6任一項(xiàng)所述的器件,其特征在于,所述感光部件包括第一電極、第一空穴傳輸層、吸光層以及第一電子傳輸層,所述第一電極設(shè)置在所述襯底上,從所述第一電極至所述增益部件的結(jié)構(gòu)順序?yàn)樗龅谝豢昭▊鬏攲印⑺鑫鈱印⑺龅谝浑娮觽鬏攲樱缓?或所述發(fā)光部件包括第二電極、第二空穴傳輸層、發(fā)光層以及第二電子傳輸層,所述第二電極設(shè)置在所述襯底上,從所述第二電極至所述增益部件的結(jié)構(gòu)順序?yàn)榈诙昭▊鬏攲印l(fā)光層以及第二電子傳輸層。
11.如權(quán)利要求10所述的器件,其特征在于,所述第一空穴傳輸層的材料和/或所述第二空穴傳輸層中的材料為有機(jī)空穴傳輸材料、氧化物空穴傳輸中的至少一種;和/或
所述第一電子傳輸層的材料和/或所述第二電子傳輸層中的材料為氧化物電子傳輸材料、硫化物電子傳輸材料、硫化物納米材料電子傳輸材料、有機(jī)電子傳輸材料中的至少一種。
12.如權(quán)利要求10所述的器件,其特征在于,所述吸光層的材料為無機(jī)半導(dǎo)體納米晶;和/或
所述發(fā)光層的材料為無機(jī)半導(dǎo)體納米晶、IV族單質(zhì)半導(dǎo)體發(fā)光材料、有機(jī)發(fā)光材料中的至少一種。
13.一種光轉(zhuǎn)換的器件的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
在襯底上形成并列設(shè)置的感光部件和發(fā)光部件;
在所述感光部件上表面和所述發(fā)光部件上表面設(shè)置增益部件,使所述感光部件和所述發(fā)光部件通過所述增益部件連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





