[發(fā)明專利]5G通訊20GHz激光器雙芯片封裝基座及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710616816.0
• 申請日: 2017-07-20
• 公開（公告）號: CN107482470A
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 溫演聲
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東格斯泰氣密元件有限公司
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/024;H01S5/042
• 代理公司: 東莞市中正知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44231
• 代理人: 張漢青

1.一種5G通訊20GHz激光器雙芯片封裝基座，包括基座體,其特征在于:所述基座體上安裝有支撐件,一印刷電路板裝于所述支撐件中,所述印刷電路板上設(shè)有第一激光器芯片與第二激光器芯片,所述印刷電路板以銀漿印刷混合微波電路及以帕爾帖漿料印刷TEC電路,二個用于激光器輸入電流監(jiān)測的探測器PD安裝于基座體上,在基座體中還裝有50歐姆高速調(diào)制電信號輸入引腳、探測器PD輸入端引腳、TEC電路的輸入端引腳、接地輸出引腳；

所述50歐姆高速調(diào)制電信號輸入引腳、探測器PD輸入端引腳和TEC電路的輸入端引腳、接地輸出引腳分別穿設(shè)于玻璃絕緣子內(nèi)孔絕緣封裝于基座體中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G通訊20GHz激光器雙芯片封裝基座，其特征在于:所述50歐姆高速調(diào)制電信號輸入引腳有兩個，為同軸結(jié)構(gòu)設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G通訊20GHz激光器雙芯片封裝基座，其特征在于:所述印刷電路板其襯底采用氮化鋁基片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G通訊20GHz激光器雙芯片封裝基座，其特征在于:所述基座體為10號碳鋼鍍鎳3-5微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G通訊20GHz激光器雙芯片封裝基座，其特征在于:所述50歐姆高速調(diào)制電信號輸入引腳為4J50鐵鎳合金，鍍鎳3-5微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G通訊20GHz激光器雙芯片封裝基座，其特征在于:所述探測器PD輸入端引腳和TEC電路的輸入端引腳為4J50鐵鎳合金，鍍鎳3-5微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G通訊20GHz激光器雙芯片封裝基座，其特征在于:所述支撐件為無氧銅，鍍鎳3-5微米，以釬焊材料焊接于基座體上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5G通訊20GHz激光器雙芯片封裝基座，其特征在于:所述玻璃絕緣子采用HYG9系列低損耗、低介電常數(shù)玻璃。

9.一種5G通訊20GHz激光器雙芯片封裝基座制造方法，其特征在于包括:

(1)基座體：采用10號碳鋼，經(jīng)過精密沖壓成型，除油清洗后鍍鎳3-5微米；

(2)支撐件：采用無氧銅，鍍鎳3-5微米，采用厚度為0.1毫米的85-15銀銅焊料，焊接于基座體上；

(3)印刷電路板：采用高導(dǎo)熱氮化鋁基片，長寬1.5毫米，高度0.8毫米，厚度0.3毫米；設(shè)置第一激光器芯片與第二激光器芯片，以銀漿印刷混合微波電路及以帕爾帖漿料印刷TEC電路；

(4)玻璃絕緣子：采用HYG9系列低損耗、低介電常數(shù)玻璃壓制成型素?zé)刹ＡЫ^緣子；

(5)輸入引腳：50歐姆高速調(diào)制電信號輸入引腳，材料采用4J50鐵鎳合金，加工成14.5毫米長度，直徑0.3毫米。除油清洗后鍍鎳3-5微米；探測器PD輸入端引腳和TEC電路的輸入端引腳，采用4J50鐵鎳合金，加工成14.5毫米長度，直徑0.45毫米，除油清洗后鍍鎳3-5微米；

(6)燒結(jié)和釬焊夾具：采用石墨材料；

(7)除印刷電路板外，將以上材料組裝在夾具上，放入氣氛燒結(jié)爐中，溫區(qū)溫度設(shè)定參數(shù)為：300℃—950℃—300℃—200℃；時間：90-150分鐘；氣氛：分段控制氧化還原氣氛；

(8)表面處理：以上半成品鍍金0.1-0.25微米；

(9)印刷電路板接合，將上述鍍金后的基座放置于夾具上，將印刷電路板共晶接合到支撐件垂直面，得到成品。