[發明專利]具有熱增強型共形屏蔽的半導體封裝及相關方法

有效

• 申請號: 201710616109.1
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN107275241B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 戴晨音;葉勇誼;楊金鳳;鐘啟生;廖國憲
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/58
• 分類號: H01L21/58;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體封裝，其包含：

襯底，其具有上表面與側向表面，所述側向表面鄰近于所述襯底的外圍；

接地部，其鄰設于所述襯底的所述外圍；

裸片，其鄰設于所述襯底的所述上表面，且具有一作用表面及一背側表面；

封裝主體，其鄰設于所述襯底的所述上表面且至少部分地包覆所述裸片，所述封裝主體具有一上表面及至少一個側表面，其中所述裸片的所述背側表面從所述封裝主體的所述上表面暴露；

第一金屬層，其設置于所述封裝主體的所述上表面及所述裸片的所述背側表面，且具有一延伸部分設置于所述封裝主體的所述至少一個側表面上且接觸所述襯底的所述上表面，其中所述延伸部分具有一外表面，所述延伸部分的所述外表面與所述襯底的所述側向表面共面；

第二金屬層，其設置于所述第一金屬層以及所述襯底的所述側向表面上，且電連接到所述接地部；以及

晶種層，所述晶種層設置于所述封裝主體與所述第一金屬層之間，所述晶種層包括第一部分及第二部分，所述第一部分設置于所述封裝主體的上表面，所述第二部分設置于第一部分上方，所述第二部分的材料相同于所述第一金屬層的材料。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述裸片的所述背側表面與所述封裝主體的所述上表面實質上共面。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一金屬層的厚度大于所述第二金屬層的厚度。

4.一種半導體封裝，其包含：

襯底，其具有上表面與側向表面，所述側向表面鄰近于所述襯底的外圍；

裸片，其鄰設于所述襯底的所述上表面；

封裝主體，其鄰設于所述襯底的所述上表面且至少部分地包覆所述裸片，所述封裝主體具有一上表面，其中一部分的裸片從所述封裝主體的所述上表面暴露；

第一金屬層，其設置于所述封裝主體及所述裸片上方；

晶種層，設置于所述封裝主體與所述第一金屬層之間，其中所述晶種層包括第一部分及第二部分，所述第一部分設置于所述封裝主體的上表面，所述第二部分設置于第一部分上方，所述第二部分的材料相同于所述第一金屬層的材料；以及

第二金屬層，具有頂部分及側部分，所述頂部分設置于所述第一金屬層上，所述側部分設置于所述襯底的側向表面上。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝，其中所述裸片的背側表面與所述封裝主體的所述上表面實質上共面。

6.根據權利要求4所述的半導體封裝，其中所述第一金屬層的厚度大于所述第二金屬層的厚度。

7.根據權利要求4所述的半導體封裝，其中所述第一金屬層的厚度大于所述第二金屬層的所述頂部分的厚度的至少五倍。

8.根據權利要求4所述的半導體封裝，其中所述第一金屬層的厚度為30μm到60μm。

9.根據權利要求4所述的半導體封裝，其中所述封裝主體具有至少一個側表面，所述第一金屬層且具有一延伸部分設置于所述封裝主體的所述至少一個側表面上且接觸所述襯底的所述上表面。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝，其中所述第一金屬層的延伸部分具有與襯底的側向表面共面的外表面。