[發(fā)明專利]一種采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)進(jìn)行硅片涂源工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710615682.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109308994A | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李亞哲;王彥君;孫晨光;徐長坡;陳澄;武衛(wèi);梁效峰;黃志煥;楊玉聰;李麗娟;鐘瑜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津環(huán)鑫科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/22 | 分類號(hào): | H01L21/22;H01L21/225 |
| 代理公司: | 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 300380 天津市西青區(qū)*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅片 擴(kuò)散源 疊片 磷源 硼源 涂覆 絲網(wǎng)印刷技術(shù) 硼鋁源 印刷 減薄 涂源 溢水 清洗 絲網(wǎng)印刷工藝 表面損傷層 涂覆一致性 安全環(huán)保 工作效率 硅片擴(kuò)散 硅片雙面 硼鋁擴(kuò)散 前后位置 雙面腐蝕 碳化硅舟 腐蝕液 堿處理 磷擴(kuò)散 硼擴(kuò)散 前處理 酸清洗 擋片 放入 甩干 去除 自動(dòng)化 擴(kuò)散 | ||
本發(fā)明提供一種采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)進(jìn)行硅片涂源工藝,包括以下步驟:硅片雙面減薄:使用腐蝕液對(duì)硅片進(jìn)行雙面腐蝕,去除表面損傷層;擴(kuò)散前處理:對(duì)減薄后的硅片依次進(jìn)行堿處理、溢水清洗、酸清洗、溢水清洗、甩干;印刷擴(kuò)散源:采用絲網(wǎng)印刷工藝對(duì)處理后的硅片一面印刷磷擴(kuò)散源,另一面印刷硼擴(kuò)散源或硼鋁擴(kuò)散源;疊片裝舟:將硅片硼源面或硼鋁源面與硼源面或硼鋁源面相對(duì),將磷源面與磷源面相對(duì)進(jìn)行疊片,疊片后放入碳化硅舟中,在前后位置放置擋片。本發(fā)明的有益效果是使得在硅片上涂覆擴(kuò)散源的工藝更加簡(jiǎn)單,能夠?qū)崿F(xiàn)硅片擴(kuò)散源涂覆的自動(dòng)化,節(jié)省勞動(dòng)力,提高了擴(kuò)散源涂覆的工作效率,且磷源和硼源在硅片上的涂覆一致性好,安全環(huán)保。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于硅片制作領(lǐng)域,尤其是涉及一種采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)進(jìn)行硅片涂源工藝。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體表面鈍化的要求越來越高,作為鈍化材料,應(yīng)具備良好的電氣性能、可靠性、良好的化學(xué)穩(wěn)定性、可操作性以及經(jīng)濟(jì)性。根據(jù)上述要求,半導(dǎo)體鈍化專用玻璃作為一種較為理想的半導(dǎo)體鈍化材料在半導(dǎo)體行業(yè)中開始應(yīng)用。利用半導(dǎo)體鈍化專用玻璃制作的芯片稱為玻璃鈍化芯片(Glass passivation process Chip),即GPP芯片。
目前,行業(yè)內(nèi)硅片的制作大多會(huì)用到擴(kuò)散工藝形成PN結(jié),目前業(yè)內(nèi)常用的硅片擴(kuò)散源的涂覆一般采用旋轉(zhuǎn)涂覆的方法,采用旋轉(zhuǎn)涂覆擴(kuò)散源工藝復(fù)雜,且擴(kuò)散源在硅片表面涂覆不均勻,產(chǎn)品一致性差,勞動(dòng)成本高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題是提供一種采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)進(jìn)行硅片涂源工藝,使得在硅片上涂覆的擴(kuò)散源一致性好,且簡(jiǎn)化了硅片涂源工藝步驟,提高了硅片擴(kuò)散源涂覆的工作效率。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)進(jìn)行硅片涂源工藝,包括以下步驟:
1)印刷擴(kuò)散源:采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)對(duì)擴(kuò)散前處理后的硅片一面印刷磷擴(kuò)散源,另一面印刷硼擴(kuò)散源或硼鋁擴(kuò)散源。
進(jìn)一步的,步驟1)包括以下步驟:
A.印刷磷擴(kuò)散源:將磷擴(kuò)散源噴涂在網(wǎng)板上,擴(kuò)散前處理后的硅片置于網(wǎng)板下方,用刮刀從網(wǎng)板上方以一定角度施加壓力,將磷擴(kuò)散源印刷至硅片表面;
B.將印刷完磷擴(kuò)散源的硅片置于烘板上,對(duì)硅片印有磷擴(kuò)散源的一面進(jìn)行烘烤;
C.按照步驟B、步驟C的工藝將液態(tài)硼鋁擴(kuò)散源或者液態(tài)硼擴(kuò)散源印刷至硅片的另一面上并進(jìn)行烘烤;
D.將所述硅片兩面噴灑上Al2O3粉末或硅粉。
進(jìn)一步的,步驟A中所述的刮刀的角度為45°-75°。
進(jìn)一步的,在印刷擴(kuò)散源之前對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散前處理。
進(jìn)一步的,擴(kuò)散前處理包括依次進(jìn)行堿處理、溢水清洗、酸清洗、溢水清洗和甩干。
進(jìn)一步的,在對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散前處理之前對(duì)硅片進(jìn)行減薄處理。
進(jìn)一步的,減薄處理具體包括以下步驟:
E.將硅片放置于腐蝕液中進(jìn)行腐蝕;
F.腐蝕結(jié)束后,將硅片進(jìn)行水清洗;
G.測(cè)量所述硅片減除量;
H.測(cè)量后對(duì)所述硅片進(jìn)行水清洗并甩干。
進(jìn)一步的,腐蝕液為按照一定的比例混合的硝酸、氫氟酸、冰乙酸和純水,溫度為0-15℃。
進(jìn)一步的,腐蝕液的混合比例為10-20:5-10:1-10:1-10。
進(jìn)一步的,印刷擴(kuò)散源后還進(jìn)行疊片裝舟,具體步驟為:將硅片硼源面或硼鋁源面與硼源面或硼鋁源面相對(duì),將磷源面與磷源面相對(duì)進(jìn)行疊片裝舟。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





