[發明專利]一種反應除雜提純氯硅烷的工藝在審
| 申請號： | 201710615260.3 | 申請日： | 2017-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN109292780A | 公開（公告）日： | 2019-02-01 |
| 發明（設計）人： | 呂磊;馬軍;周舟;郄麗曼 | 申請（專利權）人： | 江蘇中能硅業科技發展有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/107 | 分類號： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 221004 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氯硅烷 除雜反應器 除雜提純 汽化 無機鹽 反應器設備 物理吸附法 除雜處理 環境友好 活性物質 運行成本 精餾塔 磷雜質 氧化性 提純 除雜 去除 脫除 填充 簡易 投資 | ||
1.一種反應除雜提純氯硅烷的工藝，其特征在于，包括將液相或汽化后的氯硅烷首先通入除雜反應器，經過反應除雜處理，處理后的物料再通入精餾塔去除重組分，得到提純后的氯硅烷；
其中，所述的除雜反應器內填充氧化性無機鹽。
2.根據權利要求1所述反應除雜提純氯硅烷的工藝，其特征在于，所述氧化性無機鹽為高錳酸鹽、氯酸鹽、次氯酸鹽、過氧化鹽、重鉻酸鹽中的任意一種或多種。
3.根據權利要求2所述反應除雜提純氯硅烷的工藝，其特征在于，所述氧化性無機鹽為高錳酸鹽。
4.根據權利要求1所述反應除雜提純氯硅烷的工藝，其特征在于，所述除雜反應器內的反應溫度控制在-70℃至300℃。
5.根據權利要求4所述反應除雜提純氯硅烷的工藝，其特征在于，所述除雜反應器內的反應溫度控制在-40℃至220℃。
6.根據權利要求1或2或3所述反應除雜提純氯硅烷的工藝，其特征在于，所述氧化性無機鹽負載在載體表面，所述載體選自多孔硅酸鹽、活性炭、多孔碳、硅藻土、氧化鋁、浮石、空心玻璃球、多孔陶瓷中的任意一種或多種，所述負載的方式為浸漬法。
7.根據權利要求6所述反應除雜提純氯硅烷的工藝，其特征在于，所述載體為多孔硅酸鹽。
8.根據權利要求1所述反應除雜提純氯硅烷的工藝，其特征在于，所述的氯硅烷為三氯氫硅、四氯化硅、二氯二氫硅或六氯乙硅烷。
9.權利要求1所述的反應除雜提純氯硅烷的工藝中使用的裝置系統，包括至少一個除雜反應器和至少一個精餾塔，除雜反應器和精餾塔以串聯方式相連接。
10.根據權利要求9所述的裝置系統，其特征在于，所述除雜反應器為固定床式反應器，其形狀為筒狀、管狀或列管狀。
11.根據權利要求9所述的裝置系統，其特征在于，所述除雜反應器內部設置有過濾和壓緊裝置，把氧化性無機鹽顆粒固定在反應器內。
12.根據權利要求9所述的裝置系統，其特征在于，所述精餾塔選自篩板塔、填料塔、或者隔板塔。
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