[發(fā)明專利]熱處理設(shè)備和熱處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710615057.6 | 申請日: | 2017-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN107658226B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 沈亨基;金泰俊;崔東奎;張民奎 | 申請(專利權(quán))人: | AP系統(tǒng)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/324 | 分類號: | H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊文娟;臧建明 |
| 地址: | 韓國京畿道華城市*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱處理 設(shè)備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種熱處理設(shè)備以及熱處理方法,熱處理設(shè)備用于通過用光照射襯底來熱處理襯底。熱處理設(shè)備包含:臺,襯底安放于臺上;以及氣體噴射模塊,其被安置為面對臺,且具備經(jīng)配置以在臺安置的方向上導(dǎo)引光的氣室以及安置于氣室的一個側(cè)面中以將氣體供應(yīng)到氣室的第一氣體供應(yīng)源。第一氣體供應(yīng)源包含通路部件,通路部件安裝于氣體移動到氣室所沿著的路徑上且經(jīng)配置以過濾和擴散氣體以將氣體供應(yīng)到氣室。制程期間由于惰性氣體在通過通路部件的同時被過濾,因此朝向襯底噴射不具有不純粒子的惰性氣體,且因此可以防止襯底或薄膜由于惰性氣體而帶來的污染。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及熱處理(heat?treatment)設(shè)備和熱處理方法,且更具體地說涉及能夠防止襯底被污染的熱處理設(shè)備和熱處理方法。
背景技術(shù)
當(dāng)制造液晶顯示裝置和光伏裝置時,涉及用于使非晶形多晶薄膜(例如,非晶形多晶硅薄膜)結(jié)晶的熱處理過程。此處,當(dāng)玻璃被用作襯底時,非晶形多晶薄膜可以通過使用激光來結(jié)晶。然而,當(dāng)非晶形多晶薄膜與氧氣(O2)反應(yīng)時,非晶形多晶薄膜可能被氧化而變?yōu)檠趸锉∧ぁ?/p>
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的激光熱處理設(shè)備的示意圖。參考圖1,根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的激光熱處理設(shè)備包含:具有空間的處理腔室10,襯底1在所述空間中被處理;透射窗口(transmission?window)40,其安置于處理腔室10的上部部分上以允許激光透射通過;以及光源30,其在處理腔室10外部安置于透射窗口40上方以輸出激光8。根據(jù)所述激光熱處理設(shè)備,從光源30輸出的激光8透射通過透射窗口40,并且然后發(fā)射到水平地移動的襯底1上。
如果當(dāng)沉積在襯底1的頂部表面上的多晶薄膜11結(jié)晶時,被激光8照射的襯底1的頂部區(qū)域暴露于氧氣,那么所述多晶薄膜可能不會變成結(jié)晶硅,而是被氧化。
為此目的,應(yīng)用一種熱處理設(shè)備,其能夠在惰性氣體氣氛(inert?gasatmosphere)中以激光照射襯底1的頂部區(qū)域。所述熱處理設(shè)備包含朝向襯底噴射惰性氣體的氣體供應(yīng)源。此處,所述氣體供應(yīng)源包含氣體噴射主體,其具有:空的空間,即激光和惰性氣體通過的腔室;儲槽(tank),其安裝于所述氣體噴射主體內(nèi)且臨時存儲和容納惰性氣體;以及噴嘴(nozzle),其在所述主體內(nèi)將所述儲槽連接到所述腔室且將儲槽內(nèi)的惰性氣體噴射到所述腔室。并且,在氣體噴射主體的下端部分處提供狹縫(slit),激光和惰性氣體通過所述狹縫朝向襯底排出。
因此,當(dāng)以從光源發(fā)射的激光照射安置于襯底上的多晶薄膜時,惰性氣體可從氣體噴射部分朝向襯底供應(yīng)以在襯底的表面上產(chǎn)生惰性氣氛。
并且,在所述制程期間,或者在所述過程之后和之前,可能將不純的粒子引入到提供于氣體噴射主體中的儲槽中,或者可能將含有不純粒子的氣體引入到儲槽中。然而,由于被污染的儲槽內(nèi)的惰性氣體實際上移動到噴嘴并且然后噴射到襯底,因此襯底可能被惰性氣體的不純粒子污染。
[相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)]
(專利文獻(xiàn)1)第2002-93738號日本專利公開案
發(fā)明內(nèi)容
本公開提供一種熱處理設(shè)備和熱處理方法,其能夠防止襯底被污染。
本公開還提供一種熱處理設(shè)備和熱處理方法,其能夠在制程期間或當(dāng)在過程完成之后襯底移動時防止襯底被污染。
根據(jù)示范性實施例,一種用于通過用光照射襯底來熱處理所述襯底的熱處理設(shè)備包含:臺,所述襯底安放于所述臺上;以及氣體噴射模塊,其被安置為面對所述臺,所述氣體噴射模塊包含經(jīng)配置以在所述臺安置的方向上導(dǎo)引所述光的氣室以及安置于所述氣室的一個側(cè)面中以將氣體供應(yīng)到所述氣室的第一氣體供應(yīng)源,其中所述第一氣體供應(yīng)源包含通路部件,所述通路部件安裝于所述氣體移動到所述氣室所沿著的路徑上且經(jīng)配置以過濾和擴散所述氣體以將所述氣體供應(yīng)到所述氣室。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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