[發明專利]一種碳化硅微粉提純裝置

在審

• 申請號: 201710613635.2
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN107226471A
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 程志
• 申請（專利權）人: 安徽正豐再生資源有限公司
• 主分類號: C01B32/956
• 分類號: C01B32/956
• 代理公司: 合肥市長遠專利代理事務所(普通合伙)34119
• 代理人: 段曉微,葉美琴

技術領域

本發明涉及提純技術領域，尤其涉及一種碳化硅微粉提純裝置。

背景技術

碳化硅微粉是當前晶硅片切割行業的主要切割材料，應用于太陽能晶硅片切割領域。碳化硅在工業生產過程中，在2000～2500℃高溫條件下，將石英砂和過量的焦碳在艾奇遜爐中通電加熱一段時間后，石英砂中的二氧化硅和碳反應，生成碳化硅。碳化硅在高溫合成時會燒結成塊，碳化硅塊料中同時包裹有一定量的合成反應過量的碳粉。碳化硅塊料和游離碳粉經過碳化硅微粉破碎、篩分、粉磨等生產過程工序后，碳粉附著在碳化硅粉體表面，使兩者完全混合在一起難以去除。

而作為切割刃料應用于太陽能晶硅片切割領域的碳化硅微粉對碳化硅的純度有較高要求，因此必須將碳化硅微粉進行提純處理。而現有的提純方法存在游離碳去除率低、設備投資大、生產工藝復雜等缺點，且提純池多為直筒型，在濕法提純過程中，碳化硅很容易隨著含碳雜質一起被清除出去，造成資源的浪費。

發明內容

基于上述背景技術存在的技術問題，本發明提出一種碳化硅微粉提純裝置，以提高碳化硅的提純效果，避免資源的浪費。

本發明提出了一種碳化硅微粉提純裝置，包括；提純池和攪拌機構，

提純池包括攪拌區和溢流區，攪拌區位于溢流區的下方并與溢流區連接，攪拌區的內徑由遠離溢流區的一側向靠近溢流區的一側依次遞減；溢流區的內徑由靠近攪拌區的一側向遠離攪拌區的一側依次遞增；

攪拌機構包括驅動機構和攪拌軸，驅動機構與攪拌軸連接用于驅動攪拌軸進行轉動，攪拌軸位于提純池內，且攪拌軸上位于攪拌區內的部分設有攪拌葉，攪拌軸上位于溢流區內的部分設有刮料板，且刮料板位于溢流區內靠近溢流口的一側。

優選地，溢流區內壁且靠近溢流口端的端設有清渣口。

優選地，刮料板上靠近溢流區的一側設有傾斜角a，且傾斜角a的傾斜角度與溢流區側壁的傾斜角度一致。

優選地，還包括推渣機構，推渣機構包括推板和動力機構，推板安裝在刮料板上；動力機構安裝在攪拌軸上，且動力機構與推板連接并可推動推板沿刮料板的長度方向進行移動。

優選地，攪拌區與溢流區采用光滑連接。

優選地，攪拌區的最大內徑大于溢流區的最大內徑。

本發明中，提純池包括攪拌區和溢流區，攪拌區位于溢流區的下方并與溢流區連接，攪拌區的內徑由遠離溢流區的一側向靠近溢流區的一側依次遞減，使攪拌區的側壁由下向上逐漸傾斜收攏，避免碳化硅在攪拌過程中隨著含有碳的雜質上升至溢流區，被溢流區直接排出；溢流區的內徑由靠近攪拌區的一側向遠離攪拌區的一側依次遞增，使溢流區的側壁由下向上逐漸傾斜張開，當攪拌區內的混合物上升至溢流區時，由于受內徑變化的影響，混合物會沖向溢流區的側壁并沿著側壁上升，從而使得混合物中的碳化硅得以沉降并沿著溢流區的側壁重新滑落至攪拌區內。且由于本發明在提純過程中是一邊攪拌一邊進行刮料處理，使得上浮至溢流區表面的含碳雜質得以及時清除，避免其重新沉積至提純池內，從而提高了提純效果。

綜上所述，本發明所提出的碳化硅微粉提純裝置結構簡單，成本低廉，且提純效果好，在提純過程中避免了資源浪費。

附圖說明

圖1為本發明提出的一種碳化硅微粉提純裝置的結構示意圖。

具體實施方式

下面，通過具體實施例對本發明的技術方案進行詳細說明。

如圖1所示，圖1為本發明提出的一種碳化硅微粉提純裝置的結構示意圖。

參照圖1，本發明實施例提出的一種碳化硅微粉提純裝置，包括；提純池和攪拌機構，

提純池包括攪拌區1和溢流區2，攪拌區1位于溢流區2的下方并與溢流區2光滑連接，攪拌區1的內徑由遠離溢流區2的一側向靠近溢流區2的一側依次遞減；通過這種遞增的結構設計，使攪拌區1的側壁由下向上逐漸傾斜收攏，避免碳化硅在攪拌過程中隨著含有碳的雜質上升至溢流區2，被溢流區2直接排出。

溢流區2的內徑由靠近攪拌區1的一側向遠離攪拌區1的一側依次遞增，且溢流區2的最大內徑小于攪拌區1的最大內徑，溢流區2內壁且靠近溢流口端的端設有清渣口21；溢流區2的結構設計，使溢流區2的側壁由下向上逐漸傾斜張開，當攪拌區1內的混合物上升至溢流區2時，由于受內徑變化的影響，混合物會沖向溢流區2的側壁并沿著側壁上升，從而使得混合物中的碳化硅得以沉降并沿著溢流區2的側壁重新滑落至攪拌區1內。