[發明專利]微發光二極管顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201710613474.7 | 申請日: | 2017-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN107359175B | 公開(公告)日: | 2020-02-11 |
| 發明(設計)人: | 李洪;李飛 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/46;H01L27/12 |
| 代理公司: | 11444 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 王剛;龔敏 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光元件 半導體層 第二電極 第一電極 出射 顯示面板 微發光二極管 層疊設置 矩陣分布 雙面顯示 顯示裝置 依次層疊 活性層 | ||
本發明實施例提供了一種微發光二極管顯示面板和顯示裝置,涉及顯示技術領域,能夠在同一個顯示面板上實現雙面顯示,從而降低了成本。微發光二極管顯示面板包括:呈矩陣分布的多個發光元件,每個發光元件包括層疊設置的第一電極、半導體層和第二電極,半導體層位于第一電極和第二電極之間;半導體層包括沿第一電極至第二電極的方向上依次層疊設置的第一半導體層、活性層和第二半導體層;多個發光元件包括多個第一發光元件和多個第二發光元件,第一發光元件具有第一出射方向,第二發光元件具有第二出射方向,第一出射方向為從第一電極至第二電極的方向,第二出射方向為從第二電極至第一電極的方向。
【技術領域】
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種微發光二極管顯示面板和顯示裝置。
【背景技術】
隨著顯示技術的不斷發展,出現了微發光二極管(Micro-LED)技術,Micro-LED技術是指在襯底上以高密度集成的微小尺寸發光二極管(Light Emitting Diode,LED)陣列的技術,每個Micro-LED的尺寸僅在1至10μm左右,通過該技術可以形成高分辨率的Micro-LED顯示面板,Micro-LED具有發光效率高、能耗低和解析度高等優點。為了適應例如服務窗口行業等需要雙面顯示的應用場景,出現了雙面顯示裝置。
目前的雙面顯示裝置一般是采用將兩個顯示面板貼合的方式實現,例如,將兩個制作好的顯示面板背靠背貼合,以使其中一個顯示面板朝一側發光顯示,另一個顯示面板朝另一側發光顯示。由于需要單獨制作兩個完整的顯示面板來實現雙面顯示,因此目前的雙面顯示裝置成本較高。
【發明內容】
有鑒于此,本發明實施例提供了一種微發光二極管顯示面板和顯示裝置,能夠在同一個顯示面板上實現雙面顯示,從而降低了成本。
一方面,本發明實施例提供了一種微發光二極管顯示面板,包括:
呈矩陣分布的多個發光元件,每個所述發光元件包括層疊設置的第一電極、半導體層和第二電極,所述半導體層位于所述第一電極和所述第二電極之間;
所述半導體層包括沿所述第一電極至所述第二電極的方向上依次層疊設置的第一半導體層、活性層和第二半導體層;
所述多個發光元件包括多個第一發光元件和多個第二發光元件,所述第一發光元件具有第一出射方向,所述第二發光元件具有第二出射方向,所述第一出射方向為從所述第一電極至所述第二電極的方向,所述第二出射方向為從所述第二電極至所述第一電極的方向。
另一方面,本發明實施例提供了一種顯示裝置,包括上述的微發光二極管顯示面板。
本發明實施例中的微發光二極管顯示面板和顯示裝置,通過將發光元件劃分為第一發光元件和第二發光元件,并設置第一發光元件具有第一出射方向,第二發光元件具有與第一出射方向相反的第二出射方向,在從與第一出射方向相反的方向觀看顯示面板時,能看到由第一發光元件所發光而形成的顯示畫面,在從與第二出射方向相反的方向觀看顯示面板時,能看到由第二發光元件所發光而形成的顯示畫面,從而實現了雙面顯示,由于可以在同一個顯示面板上實現雙面顯示,因此降低了成本。
【附圖說明】
為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。
圖1為本發明實施例中一種微發光二極管顯示面板的結構示意圖;
圖2為圖1中AA’向的剖面結構示意圖,本發明實施例提供一種微發光二極管顯示面板;
圖3為本發明實施例中另一種微發光二極管顯示面板的結構示意圖;
圖4為本發明實施例中另一種微發光二極管顯示面板的結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





