[發(fā)明專利]整平劑、含其的金屬電鍍組合物及制備方法、應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710613215.4 | 申請日: | 2017-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN107326407B | 公開(公告)日: | 2018-11-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王溯;高學(xué)朋;施立琦 | 申請(專利權(quán))人: | 上海新陽半導(dǎo)體材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C25D3/38 | 分類號: | C25D3/38 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務(wù)所 31283 | 代理人: | 薛琦;袁紅 |
| 地址: | 201616 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬電鍍組合物 整平劑 電鍍 金屬電鍍液 金屬鹽 制備 封口 集成電路晶片 表面粗糙度 酸性電解質(zhì) 印刷電路板 結(jié)構(gòu)致密 鹵離子源 熱可靠性 鍍層 孔口 銅鹽 應(yīng)用 空洞 芯片 | ||
1.一種金屬電鍍組合物在印刷電路板電鍍和集成電路晶片或芯片上的電鍍中的應(yīng)用,其特征在于,所述金屬電鍍組合物的原料包括金屬電鍍液和整平劑,所述金屬電鍍液包括金屬鹽、酸性電解質(zhì)、鹵離子源和水,所述金屬鹽為銅鹽,所述整平劑為如式I結(jié)構(gòu)的化合物,
其中,R1和R2各自獨(dú)立地為H或R3和R4各自獨(dú)立地為氫或C1-C6烷基;或者,R3和R4,與其相連的N一起形成C2-C6氮雜環(huán)烷基;所述C2-C6氮雜環(huán)烷基中氮原子個(gè)數(shù)為1。
2.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于,所述C1-C6烷基為C1-C4烷基;
和/或,所述C2-C6氮雜環(huán)烷基為C4-C5氮雜環(huán)烷基。
3.如權(quán)利要求2所述的應(yīng)用,其特征在于,所述C1-C4烷基為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基或叔丁基。
4.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于,所述整平劑為下列化合物中的一種或多種;
5.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于,所述銅鹽為硫酸銅、鹵化銅、乙酸銅、硝酸銅、氟硼酸銅、烷基磺酸銅、芳基磺酸銅、氨基磺酸銅和葡糖酸銅中的一種或多種;
和/或,所述金屬電鍍組合物中所述銅鹽中銅離子的摩爾濃度為0.15-2.82mol/L;
和/或,所述酸性電解質(zhì)為硫酸、乙酸、氟硼酸、烷基磺酸、芳基磺酸、氨基磺酸、氫氯酸和磷酸中的一種或多種;
和/或,每升所述金屬電鍍組合物中所述酸性電解質(zhì)的質(zhì)量為1-300g;
和/或,所述鹵離子源為氯離子源;
和/或,所述金屬電鍍組合物中所述鹵離子源中鹵離子的濃度為1-100ppm;
和/或,所述金屬電鍍組合物中所述整平劑的濃度為1-10ppm。
6.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用,其特征在于,所述鹵化銅為氯化銅。
7.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用,其特征在于,所述烷基磺酸銅為(C1-C6)烷基磺酸銅。
8.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用,其特征在于,所述烷基磺酸銅為甲基磺酸銅、乙基磺酸銅和丙基磺酸銅中的一種或多種。
9.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用,其特征在于,所述芳基磺酸銅為苯磺酸銅、苯酚磺酸銅和對甲苯磺酸銅中的一種或多種。
10.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用,其特征在于,所述烷基磺酸為甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸和三氟甲基磺酸中的一種或多種。
11.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用,其特征在于,所述芳基磺酸為苯磺酸、苯酚磺酸和對甲苯磺酸中的一種或多種。
12.如權(quán)利要求1或5所述的應(yīng)用,其特征在于,所述酸性電解質(zhì)為硫酸、甲基磺酸、乙基磺酸和丙基磺酸中的一種或多種。
13.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用,其特征在于,所述氯離子源為氯化銅、氯化錫和氫氯酸中的一種或多種。
14.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用,其特征在于,所述金屬電鍍組合物中所述鹵離子源中鹵離子的濃度為50-100ppm。
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