[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710612931.0 | 申請日： | 2017-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN108122910B | 公開（公告）日： | 2021-10-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳啟明;吳政達(dá) | 申請（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/092 | 分類號： | H01L27/092;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：
一半導(dǎo)體基材；
一介電特征；以及
一磊晶特征，位于該半導(dǎo)體基材上，其中該磊晶特征具有一頂部中央部分及至少一角落部分，該角落部分比該頂部中央部分更靠近該介電特征，且該角落部分的雜質(zhì)濃度高于該頂部中央部分的雜質(zhì)濃度，該磊晶特征是至少部分地嵌入該半導(dǎo)體基材，該磊晶特征的一部分是低于該半導(dǎo)體基材的一頂面，該磊晶特征的該部分的雜質(zhì)濃度高于該頂部中央部分的雜質(zhì)濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該半導(dǎo)體元件還包含一柵極堆疊，該柵極堆疊是位于該半導(dǎo)體基材上，其中該介電特征為一柵極間隔物，該柵極間隔物是位于該柵極堆疊及該磊晶特征的該角落部分之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該介電特征是在該半導(dǎo)體基材中的一淺溝槽隔離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該角落部分是至少部分地隆起于該半導(dǎo)體基材。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該角落部分比該頂部中央部分厚。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該角落部分的一部分是低于該頂部中央部分，該角落部分的該部分的雜質(zhì)濃度高于該頂部中央部分的雜質(zhì)濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該頂部中央部分的雜質(zhì)實(shí)質(zhì)上與該角落部分的雜質(zhì)相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該頂部中央部分是位于多個(gè)該角落部分之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該角落部分具有一刻面位于該半導(dǎo)體基材上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該刻面延伸入該半導(dǎo)體基材。
11.一半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：
一半導(dǎo)體基材；
一介電特征；以及
一磊晶特征，位于該半導(dǎo)體基材上，該磊晶特征具有一中央部分及至少一邊緣部分，該邊緣部分比該中央部分更靠近該介電特征，且該邊緣部分的摻雜深度大于該中央部分的摻雜深度，該磊晶特征是至少部分地嵌入該半導(dǎo)體基材，該磊晶特征的一部分是低于該半導(dǎo)體基材的一頂面，該磊晶特征的該部分的雜質(zhì)濃度高于該中央部分的雜質(zhì)濃度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，多個(gè)該邊緣部分是位于該中央部分的相對側(cè)上。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該邊緣部分延伸入該半導(dǎo)體基材。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該邊緣部分是位于該介電特征與該中央部分之間。
15.一種制造半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于，包含：
在一半導(dǎo)體基材上形成一柵極結(jié)構(gòu)；
沿著該柵極結(jié)構(gòu)形成一柵極間隔物；
在該半導(dǎo)體基材上形成一磊晶特征；
在形成該柵極間隔物之后，形成一摻雜物來源層以覆蓋該磊晶特征的一頂面與一側(cè)壁；以及
自該摻雜物來源層擴(kuò)散一摻雜物至該磊晶特征中，其中該摻雜物是經(jīng)由該磊晶特征的該被覆蓋的頂面與該被覆蓋的側(cè)壁進(jìn)入該磊晶特征的，自該磊晶特征的該側(cè)壁的摻雜深度大于自該磊晶特征的該頂面的一中央?yún)^(qū)域的摻雜深度，其中該磊晶特征是至少部分地嵌入該半導(dǎo)體基材，該磊晶特征的一部分是低于該半導(dǎo)體基材的一頂面，其中將該摻雜物擴(kuò)散后，該磊晶特征的該部分的雜質(zhì)濃度高于該磊晶特征的該頂面的該中央?yún)^(qū)域的雜質(zhì)濃度。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
