[發明專利]一種陣列基板和一種顯示設備有效
| 申請號: | 201710612912.8 | 申請日: | 2017-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN107275328B | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發明(設計)人: | 韓約白 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示 設備 | ||
本發明屬于顯示技術領域,公開了一種陣列基板和一種顯示設備,陣列基板包括基層、像素電路和信號線,像素電路以矩陣排列方式設置于基層上,信號線以行或列方向設置于基層上,耦接像素電路,至少兩條同向的所述信號線分別設置于所述矩陣排列的所述像素電路相對最外側。本發明通過將至少兩條同向的信號線分別設置在相對于矩陣排列的像素電路的最外側,如此可使得顯示面板至少兩端的靜電釋放電荷可通過該信號線導出,有效降低了電氣不良的概率,提高了產品良率。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種陣列基板和一種顯示設備。
背景技術
本申請發明人意外發現現有技術中未曾被發現的技術問題,即由于低溫多晶硅器件制程較復雜,使得低溫多晶硅顯示面板在制程中更容易引起靜電釋放(Electro-Staticdischarge,ESD靜電),如此會有大量的電荷聚集從而造成面板邊緣柵極和多晶硅層炸傷,進而造成柵極和多晶硅層發生短路,將柵極信號輸入到多晶硅層,引起電氣不良。
圖1中示出了現有技術中陣列基板100的構造示意圖,陣列基板100包括基層10(示出部分),位于基層10之上的多晶硅層11,即圖中呈倒U形的層,位于多晶硅層11之上的柵極線層12,位于柵極線層12之上的數據線層13,用于連接多晶硅層11和數據線層13的過孔14,表示在該方向重復延伸的折斷線符號15,前述“位于……之上的”只是說明相對位置關系,并不一定緊貼,圖1中未標號部分與圖1中左上角標號的部分對標號及其含義相同。
本申請發明人發現圖中所示的陣列基板100的構造會造成面板邊緣柵極和多晶硅層發生炸傷,即圖1中所示的柵極線與多晶硅層在垂直方向上投影重疊處16的位置發生炸傷,進而造成柵極和多晶硅層發生短路,將柵極信號輸入到多晶硅層,引起電氣不良。
在本說明書中所稱的基于陣列基板或顯示面板(或設備)的方位(例如顯示面板的最右側、上、下等)僅用以表示相對的方位關系;對于本說明書而言,具體方位是在顯示面板在使用的通常情況下相對于觀察者的放置的位置關系確定后,在此基礎上定義的,例如接近觀看者稱為“上”,而遠離觀看者稱為“下”。
發明內容
本發明提供了一種陣列基板和一種顯示設備,旨在解決現有的顯示面板在制程中因靜電釋放導致電氣不良的問題。
本發明實施例的第一方面提供一種陣列基板,包括:
基層;
像素電路,以矩陣排列方式設置于所述基層上;
信號線,以行或列方向設置于所述基層上,耦接所述像素電路;
其中,至少兩條同向的所述信號線分別設置于在所述矩陣排列的所述像素電路相對最外側。
本發明實施例的第二方面提供一種顯示設備,包括:
基層;
像素電路,以矩陣排列方式設置于所述基層上;
信號線,以行或列方向設置于所述基層上,耦接所述像素電路;
其中,至少兩條同向的所述信號線分別設置于在所述矩陣排列的所述像素電路相對最外側。
本發明提供的技術方案與現有技術相比存在的有益效果是:區別于現有技術中整張面板像素電路均為陣列結構的設計,因靜電釋放易造成柵極線路與多晶硅層發生炸傷引起短路,導致電氣不良的情況,本發明實施例將至少兩條同向的信號線分別設置在相對于矩陣排列的像素電路的最外側,如此可使得顯示面板至少兩端的靜電釋放電荷可通過該信號線導出,有效降低了電氣不良的概率,提高了產品良率。
附圖說明
圖1是本發明背景技術中提供的陣列基板的構造示意圖;
圖2是本發明第一實施例提供的一種陣列基板的構造示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





