[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201710612574.8
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN108615766A
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 千大煥
• 申請（專利權）人: 現代自動車株式會社;起亞自動車株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/04
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體器件，其包括：

n-型層，其設置在n+型碳化硅襯底的第一表面處；

溝槽，其設置在n-型層處；第一柵電極和第二柵電極，所述第一柵電極和第二柵電極設置在溝槽中并彼此分離；

源電極，其與第一柵電極和第二柵電極絕緣；

漏電極，其設置在n+型碳化硅襯底的第二表面處；

第一溝道，其設置為鄰近于溝槽的側表面；以及

第二溝道，其設置在溝槽的下表面的下方，

其中，第一溝道和第二溝道彼此分離。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其進一步包括：

第一p型區域，其設置為鄰近于溝槽的側表面；

第二P型區域，其設置在溝槽的下表面的下方，其中，第一p型區域和第二p型區域彼此分離。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，第一溝道設置在第一p型區域處，而第二溝道設置在第二p型區域處。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其進一步包括：

第一n+型區域，其設置在第一p型區域；

第二n+型區域，其設置在第二p型區域，其中，第一n+型區域和第二n+型區域彼此分離。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其進一步包括：

第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層設置在溝槽中并彼此分離，

其中，第一柵電極設置在第一柵極絕緣層上，

其中，第二柵電極設置在第二柵極絕緣層上。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，源電極鄰接第一n+型區域和第二n+型區域。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其進一步包括：

第一絕緣層，其覆蓋第一柵電極；

第二絕緣層，其覆蓋第二柵電極。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，源電極和漏電極由歐姆金屬形成。

9.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在n+型碳化硅襯底的第一表面處形成n-型層；

在n-型層處形成溝槽；

在溝槽中形成彼此分離的第一柵電極和第二柵電極；

形成與第一柵電極和第二柵電極絕緣的源電極；以及

在n+型碳化硅襯底的第二表面處形成漏電極，

其中，第一溝道設置為鄰近于溝槽的側表面，第二溝道設置在溝槽的下表面的下方，并且第一溝道和第二溝道彼此分離。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包括：

在n-型層上形成第一p型區域；

在第一p型區域上形成第一n+型區域，

其中，通過蝕刻第一n+型區域，第一p型區域和n-型層來形成溝槽。

11.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括：

在溝槽的下表面的下方形成第二p型區域；

在第二p型區域中形成第二n+型區域。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，第一p型區域和第二p型區域彼此分離，并且第一n+型區域和第二n+型區域彼此分離。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，第一溝道設置在第一p型區域處，第二溝道設置在第二p型區域處。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，源電極鄰接第一n+型區域和第二n+型區域。

15.根據權利要求9所述的方法，其中，溝槽通過蝕刻n-型層而形成。