[發明專利]用于控制外延沉積腔室流量的注入及排放設計在審
| 申請號: | 201710611924.9 | 申請日: | 2014-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN107557758A | 公開(公告)日: | 2018-01-09 |
| 發明(設計)人: | 劉樹坤;穆罕默德·圖格魯利·薩米爾 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國,趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 控制 外延 沉積 流量 注入 排放 設計 | ||
1.一種裝置,包括:
處理腔室,所述處理腔室限定所述處理腔室中的處理區域;
基板支撐件,所述基板支撐件設置于所述處理腔室內,所述基板支撐件具有基板支撐表面;及
注入器,所述注入器流體連接于所述處理區域,所述注入器包括:
一個或多個注入入口;
一個或多個注入路徑,所述一個或多個注入路徑流體連接于所述一個或多個注入入口的至少一個;及
一個或多個注入端口,所述一個或多個注入端口流體連接于所述注入路徑的至少一個;
中心線,所述中心線將所述一個或多個注入路徑中的一個注入路徑二等分;及
流量控制排放器,所述流量控制排放器流體連接于所述處理區域,所述流量控制排放器具有偏移的傳導性。
2.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述注入端口的至少一個于一角度偏離所述中心線。
3.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述注入端口的至少一個于實質垂直所述中心線的位置處進入所述腔室。
4.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述一個或多個注入路徑相對于所述中心線定位于-90度至+90度之間。
5.如權利要求4所述的處理腔室,其中所述注入路徑的每一個獨立地連接于所述一個或多個注入入口的至少一個。
6.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述流量控制排放器具有三個流量控制結構。
7.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述流量控制排放器產生至少兩個區域,所述至少兩個區域由處理氣體的速度差異限定。
8.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述流量控制排放器產生至少兩個區域,所述至少兩個區域由處理氣體的流率差異限定。
9.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述流量控制排放器產生至少兩個區域,所述至少兩個區域由處理氣體的方向性差異限定。
10.一種處理腔室,包括:
處理腔室;
基板支撐件,所述基板支撐件設置于所述處理腔室內以支撐基板;
下圓頂,所述下圓頂設置于所述基板支撐件之下;
上圓頂,所述上圓頂設置成相對于所述下圓頂;
基座環,所述基座環設置于所述上圓頂與所述下圓頂之間,所述上圓頂、所述基座環與所述下圓頂大體上限定了所述處理腔室的處理區域;及
流量控制排放器,所述流量控制排放器流體連接于所述處理區域,所述流量控制具有偏移的傳導性排放。
11.如權利要求10所述的處理腔室,其中所述流量控制排放器包括一個或多個流量控制結構。
12.如權利要求11所述的處理腔室,其中所述流量控制排放器具有三個流量控制結構。
13.如權利要求10所述的處理腔室,其中所述流量控制排放器產生至少兩個區域,所述至少兩個區域由處理氣體的速度差異限定。
14.如權利要求10所述的處理腔室,其中所述流量控制排放器產生至少兩個區域,所述至少兩個區域由處理氣體的流率差異限定。
15.如權利要求10所述的處理腔室,其中所述流量控制排放器產生至少兩個區域,所述至少兩個區域由處理氣體的方向性差異限定。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





