[發(fā)明專利]基板處理裝置及基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710611245.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108091589B | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸范埈 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | PSK有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 闞梓瑄;王衛(wèi)忠 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
本發(fā)明提供一種基板處理裝置及基板處理方法,本發(fā)明的基板處理裝置包括:設(shè)備前端模塊(EFEM),其具有裝載端口和索引機(jī)器人;工藝腔室;傳送腔室,其具有用于相對(duì)于所述工藝腔室搬入或搬出基板的傳送機(jī)器人;以及裝載鎖定腔室,其位于所述傳送腔室與所述設(shè)備前端模塊(EFEM)之間,且具有用于支撐基板的基板支撐單元和用于支撐覆蓋所述基板的外周的蓋板的蓋板支撐單元。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置以及基板處理方法。
背景技術(shù)
為了制造半導(dǎo)體裝置或液晶顯示器,可在基板上執(zhí)行各種工藝,例如蝕刻工藝、灰化工藝和清洗工藝。ICP源、遠(yuǎn)程電漿源等被用作電漿源。
使用集群類型(cluster type)的裝置來執(zhí)行上述工藝。在集群類型的裝置中,裝載鎖定腔室和工藝腔室被布置在傳送腔室的周圍。
在傳送腔室中,用于傳送芯片的傳送單元提供在裝載鎖定腔室和工藝腔室之間,或在工藝腔室中的一個(gè)和工藝腔室中的另一個(gè)之間。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種基板處理裝置以及用于有效處理基板的基板處理方法。
本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種基板處理裝置以及用于在基板的外周被覆蓋時(shí)處理基板的基板處理方法。
本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例可提供一種基板處理裝置,包括:設(shè)備前端模塊EFEM,其具有裝載端口和索引機(jī)器人;工藝腔室;傳送腔室,其具有用于相對(duì)于所述工藝腔室搬入或搬出基板的傳送機(jī)器人;以及裝載鎖定腔室,其位于所述傳送腔室與所述設(shè)備前端模塊EFEM之間,且具有用于支撐基板的基板支撐單元和用于支撐覆蓋所述基板的外周的蓋板的蓋板支撐單元。
在示例性實(shí)施例中,所述基板支撐單元可包括用于支撐所述基板的底表面的第一基板支撐單元。
在示例性實(shí)施例中,所述基板支撐單元可包括用于支撐所述基板的外周的第二基板支撐單元。
在示例性實(shí)施例中,所述蓋板支撐單元位于所述基板支撐單元的外側(cè)。
在示例性實(shí)施例中,所述蓋板支撐單元可被定位成使得其頂端比所述基板支撐單元的頂端更高出一預(yù)定長度。
示例性實(shí)施例可進(jìn)一步包括推動(dòng)器,所述推動(dòng)器位于所述基板支撐單元的外側(cè),且能夠沿設(shè)置在所述基板支撐單元中的基板的側(cè)向移動(dòng)。
在示例性實(shí)施例中,可提供多個(gè)推動(dòng)器以相對(duì)于基板彼此面對(duì)。
在示例性實(shí)施例中,可提供多個(gè)工藝腔室,且所述裝載鎖定腔室可具有多個(gè)傳送區(qū)域,其中每個(gè)傳送區(qū)域具有基板支撐單元和蓋板支撐單元。
在示例性實(shí)施例中,每個(gè)傳送區(qū)域可提供基板從設(shè)備前端模塊EFEM被搬入到傳送腔室的搬入路徑,以及將基板從傳送腔室搬出到設(shè)備前端模塊EFEM的搬出路經(jīng)。
在示例性實(shí)施例中,傳送區(qū)域的數(shù)量大于工藝腔室的數(shù)量。
在示例性實(shí)施例中,工藝腔室可通過電漿執(zhí)行工藝處理。
本發(fā)明構(gòu)思的其他實(shí)施例可提供一種基板處理方法,包括:將未處理的基板搬入到裝載鎖定腔室;將蓋板設(shè)置在所述裝載鎖定腔室內(nèi)的基板的外周上;搬出所述未處理的基板,其中所述蓋板從所述裝載鎖定腔室被設(shè)置到傳送腔室;以及搬入所述未處理的基板,其中所述蓋板被設(shè)置到工藝腔室。
在示例性實(shí)施例中,設(shè)置所述蓋板可包括:當(dāng)所述未處理的基板位于被設(shè)置在所述裝載鎖定腔室中的所述蓋板下方時(shí),垂直地排列所述未處理的基板;以及沿所述蓋板方向升高所述未處理的基板。
在示例性實(shí)施例中,設(shè)置在所述裝載鎖定腔室中的所述蓋板可被提供為設(shè)置在蓋板支撐單元中,所述蓋板支撐單元被設(shè)置在用于在所述裝載鎖定腔室中支撐所述基板的基板支撐單元的外側(cè)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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