[發明專利]平坦化膜的方法

在審

• 申請號: 201710610900.1
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN107808823A
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: 鄭智遠;巫俊昌;楊舜升;郭景森;許峰嘉;陳俊璋
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

技術領域

本發明實施例涉及半導體結構及其形成方法，具體地涉及平坦化膜的 方法。

背景技術

半導體集成電路(IC)產業已經經歷了快速發展。IC設計和材料上的 技術進步已產生了一代又一代IC，其中，每一代IC都具有比前一代IC更 小和更復雜的電路。在IC演化過程中，功能密度(即，單位芯片面積上互 連器件的數量)普遍增大而幾何尺寸縮小。這種按比例縮小工藝通常通過提 高生產效率和降低相關成本來提供益處。這種按比例縮小還增加了IC處理 和制造的復雜性。為了實現這些進步，需要IC處理和制造中的類似發展。 例如，由于不平坦的頂面，現有的光刻圖案化工藝可以產生降低的臨界尺 寸(CD)均勻性。因此，需要一種半導體結構及其制造方法，以解決諸如 CD均勻性的各種問題。

發明內容

根據本發明的一些實施例，提供了一種形成半導體結構的方法，包括： 在襯底上形成圖案化的層，所述襯底具有彼此相鄰的第一區和第二區，其 中，所述圖案化的層包括位于所述第一區中的第一部件，其中，所述第二 區不含所述圖案化的層；在所述圖案化的層和所述襯底上形成材料層；形 成設置在所述第二區中并且圍繞所述第一部件的第一保護環；在所述材料 層上方形成可流動的材料(FM)層；在所述可流動的材料層上方形成圖案 化的光刻膠層，其中，所述圖案化的光刻膠層包括多個開口；以及將所述 多個開口轉印至所述材料層。

根據本發明的另一些實施例，還提供了一種形成半導體結構的方法， 包括：在襯底上形成圖案化的層，所述襯底具有彼此相鄰的第一區和第二 區，其中，所述圖案化的層包括位于所述第一區中的第一部件，其中，所 述第二區不含所述圖案化的層；形成設置在所述第二區中并且圍繞所述第 一部件的第一保護環，其中，所述第一保護環具有寬度W并且與所述第一 部件間隔距離D，其中，W大于D；在所述圖案化的層上且在所述第一保 護環上形成材料層；在所述材料層上方形成圖案化的光刻膠，其中，所述 圖案化的光刻膠層包括多個開口；以及將所述多個開口轉印至所述材料層。

根據本發明的又一些實施例，還提供了一種半導體結構，包括：襯底， 具有彼此相鄰的第一區和第二區；第一圖案化的層，形成在所述襯底上， 其中，所述第一圖案化的層包括位于所述第一區中的第一部件，其中，所 述第二區不含圖案化的層；以及第一保護環，設置在所述第二區中并且圍 繞所述第一部件，其中，所述第一保護環包括第一寬度W1并且與所述第 一部件間隔第一距離D1，W1大于D1。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳地理解本發明的各個 方面。應該注意，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際 上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1是根據一些實施例構建的工件的頂視圖。

圖2是根據一些實施例構建的半導體結構的頂視圖。

圖3是根據一些實施例構建的圖2中的半導體結構的局部圖。

圖4和圖5是根據一些實施例構建的在各個制造階段處圖2的半導體 結構2的局部圖。

圖6是根據一些實施例構建的半導體結構的頂視圖。

圖7是根據一些實施例構建的圖6中的半導體結構的局部圖。

圖8、圖9和圖10是根據各個實施例構建的半導體結構的頂視圖。

圖11是根據一些實施例構建的用于制造半導體器件的示例性方法的 流程圖。

圖12、圖13、圖14、圖15、圖16、圖17、圖18A、圖18B、圖18C、 圖18D、圖19A和圖19B是根據一些實施例的示例性半導體器件的局部圖。

圖20是根據一些實施例構建的用于制造半導體器件的示例性方法的 另一流程圖。

圖21、圖22、圖23、圖24A、圖24B、圖25A和圖25B是根據一些 實施例的示例性半導體器件的截面圖。

圖26是根據一些實施例構建的用于制造半導體器件的示例性方法的 另一流程圖。

圖27、圖28、圖29、圖30、圖31A、圖31B、圖32A和圖32B是根 據一些實施例的示例性半導體器件的截面圖。

具體實施方式