[發(fā)明專利]在多站中的晶片彎曲度的控制有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710609934.9 | 申請日： | 2017-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN107658200B | 公開（公告）日： | 2020-04-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 愛德華·奧古斯蒂尼克;大衛(wèi)·弗倫希;蘇尼爾·卡普爾;崎山幸則;喬治·托馬斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海勝康律師事務(wù)所 31263 | 代理人： | 李獻忠;張華 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 中的 晶片 彎曲 控制 | ||
1.一種用于輸送功率到與室相關(guān)聯(lián)的多個等離子體處理站的功率分配器，該功率分配器包括：
耦合到低頻阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)并且被配置為接收低頻RF信號的低頻電路，其中所述低頻電路包括多個高頻阻隔電路和第一多個電容器；
耦合到高頻阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)并且被配置為接收高頻RF信號的高頻電路，其中所述高頻電路耦合到所述低頻電路；
耦合到所述高頻電路和多個等離子體處理站的輸出電路，其中所述輸出電路被配置為組合所述低頻RF信號和所述高頻RF信號以產(chǎn)生多個組合的RF信號以提供給所述多個等離子體處理站，其中所述多個高頻阻隔電路被配置為通過所述輸出電路耦合到所述多個等離子體處理站；以及
多個并聯(lián)電感器，其中所述多個并聯(lián)電感器中的每一個并聯(lián)耦合至所述多個等離子體處理站中的相應(yīng)的一個，以增加流向所述等離子體處理站中的所述相應(yīng)的一個的電流量，其中所述多個并聯(lián)電感器中的每一個以如下的方式并聯(lián)耦合到所述多個等離子體處理站中的所述相應(yīng)的一個：所述多個并聯(lián)電感器中的每一個在一端耦合到接地連接件并且在相對端耦合到所述多個高頻阻隔電路中的相應(yīng)一個，其中所述多個并聯(lián)電感器中的每一個并聯(lián)耦合至所述低頻電路的所述第一多個電容器中的相應(yīng)的一個。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率分配器，其中所述多個并聯(lián)電感器中的每一個耦合在所述低頻電路的輸入端和多個同軸電纜的相應(yīng)的一個的端部之間，所述同軸電纜將所述輸出電路的輸出端耦合到所述等離子體處理站中的所述相應(yīng)的一個。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率分配器，其中所述多個高頻阻隔電路中的每一個包括與第二多個電容器中的相應(yīng)的一個并聯(lián)耦合的多個電感器中的一個。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率分配器，其中所述第一多個電容器中的每一個在一端耦合到所述接地連接件并且在相對端耦合到所述高頻阻隔電路中的所述相應(yīng)的一個。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率分配器，其中所述多個并聯(lián)電感器中的每一個是可變電感器或固定電感器。
6.一種用于輸送功率到多個等離子體處理站的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：
被配置為產(chǎn)生具有第一頻率的第一RF信號的第一RF發(fā)生器；
被配置為產(chǎn)生具有第二頻率的第二RF信號的第二RF發(fā)生器；
耦合到所述第一RF發(fā)生器以接收所述第一RF信號的第一匹配網(wǎng)絡(luò)，其中所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)被配置為在從所述第一RF發(fā)生器接收到所述第一RF信號時輸出第一經(jīng)修改的RF信號；
耦合到所述第二RF發(fā)生器以接收所述第二RF信號的第二匹配網(wǎng)絡(luò)，其中所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)被配置為在從所述第二RF發(fā)生器接收到所述第二RF信號時輸出第二經(jīng)修改的RF信號；
耦合到所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出端和所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出端的功率分配器，其中所述功率分配器被配置為組合所述第一經(jīng)修改的RF信號和所述第二經(jīng)修改的RF信號以向多個等離子體處理站提供組合的RF信號，其中所述功率分配器具有耦合到所述多個等離子體處理站的多個輸出端，其中所述功率分配器包括：
耦合到所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)并且被配置為接收所述第一經(jīng)修改的RF信號的低頻電路，其中所述低頻電路包括多個高頻阻隔電路和第一多個電容器；
耦合到所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)和所述低頻電路并且被配置為接收所述第二經(jīng)修改的RF信號的高頻電路；以及
耦合到所述高頻電路和所述多個等離子體處理站的輸出電路，其中所述輸出電路被配置為組合所述第一經(jīng)修改的RF信號和所述第二經(jīng)修改的RF信號以產(chǎn)生所述組合的RF信號以提供給所述多個等離子體處理站，其中所述多個高頻阻隔電路被配置為通過所述輸出電路耦合到所述多個等離子體處理站；以及
多個并聯(lián)電感器，其中所述多個并聯(lián)電感器中的每一個并聯(lián)耦合至所述多個等離子體處理站中的相應(yīng)的一個，以增加流向所述等離子體處理站中的所述相應(yīng)的一個的電流量，其中所述多個并聯(lián)電感器中的每一個以如下的方式并聯(lián)耦合到所述多個等離子體處理站中的所述相應(yīng)的一個：所述多個并聯(lián)電感器中的每一個在一端耦合到接地連接件并且在相對端耦合到所述多個高頻阻隔電路中的相應(yīng)一個，其中所述多個并聯(lián)電感器中的每一個并聯(lián)耦合至所述低頻電路的所述第一多個電容器中的相應(yīng)的一個。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于朗姆研究公司，未經(jīng)朗姆研究公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710609934.9/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
