[發明專利]一種硅片表面鈍化方法

在審

• 申請號: 201710608344.4
• 申請日: 2017-07-24
• 公開（公告）號: CN107706267A
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: 廖暉;王海濤;李林東;肖貴云;陳偉;金浩
• 申請（專利權）人: 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)11201
• 代理人: 何世磊

1.一種硅片表面鈍化方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)將硅片經去離子水清洗后使用第一酸液洗去損傷層，所述第一酸液包括HF和HNO₃；

2)將步驟1)中經過第一酸液酸洗的硅片再次經去離子水洗后進行堿漂洗；

3)將步驟2)中經過堿漂洗的硅片再次經去離子水洗后使用第二酸液進行酸洗，所述第二酸液包括HF和HCl；

4)將步驟3)中經過第二酸液酸洗的硅片再次經去離子水洗后烘干，得到預處理好的硅片；

5)將所述預處理好的硅片采用ALD技術進行雙面Al₂O₃鍍膜；

6)將鍍好Al₂O₃膜的硅片進行退火處理，得到鈍化處理完的硅片；

7)對所述鈍化處理完的硅片進行少子壽命測試。

2.根據權利要求1所述的多晶硅片表面鈍化方法，其特征在于，所述步驟1)中HF和HNO₃的濃度比為HF：HNO₃＝60g/L：350g/L，反應時間為110～130s，反應溫度為6～8℃。

3.根據權利要求1所述的硅片表面鈍化方法，其特征在于，所述步驟2)中使用KOH進行堿漂洗，KOH的濃度為55g/L，反應時間為110～130s，反應溫度為18～22℃。

4.根據權利要求1所述的硅片表面鈍化方法，其特征在于，所述步驟3)中HF和HCl的濃度比為HF：HCl＝60g/L：120g/L，反應時間為50～70s，反應溫度為18～22℃。

5.根據權利要求1所述的硅片表面鈍化方法，其特征在于，所述步驟5)中前驅體采用Al(CH₃)₃與H₂O蒸汽，N₂作為載氣及吹掃作用，反應溫度為200℃，單面鍍膜厚度為18～22nm，Al(CH₃)₃的濃度為3.1～3.5mg/L，流量為9～12slm，H₂O的濃度為48～52mg/L，流量為13～17slm。

6.根據權利要求1所述的多晶硅片表面鈍化方法，其特征在于，所述步驟6)中退火工藝如下；

a.采用TEMPRESS管式爐進行退火，首先通入N₂氛圍排除空氣并維持N₂氛圍，維持流量20slm；

b.以10℃/min升溫速率將爐溫升至380～420℃，期間維持N₂流量為18～22slm并保溫25～35min；

c.程序運行結束后隨爐冷卻，關閉N₂。

7.根據權利要求2所述的多晶硅片表面鈍化方法，其特征在于，所述步驟1)中HF和HNO₃的濃度比為HF：HNO₃＝60g/L：350g/L，反應時間為120s，反應溫度為7℃。

8.根據權利要求3所述的硅片表面鈍化方法，其特征在于，所述步驟2)中使用KOH進行堿漂洗，KOH的濃度為55g/L，反應時間為120s，反應溫度為20℃。

9.根據權利要求4所述的硅片表面鈍化方法，其特征在于，所述步驟3)中HF和HCl的濃度比為HF：HCl＝60g/L：120g/L，反應時間為60s，反應溫度為20℃。

10.根據權利要求5所述的硅片表面鈍化方法，其特征在于，所述步驟5)中單面鍍膜厚度為20nm，Al(CH₃)₃的濃度為3.3mg/L，流量為10slm，H₂O的濃度為50mg/L，流量為15slm。