[發(fā)明專利]一種真空絕熱板用阻隔膜及其制備方法和用途有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710608339.3 | 申請日: | 2017-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN109296870B | 公開(公告)日: | 2020-03-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張宗波;王丹;徐彩虹;梁倩影 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院化學(xué)研究所 |
| 主分類號: | F16L59/065 | 分類號: | F16L59/065;F16L59/02;C09D1/00;C09D183/16;C23C14/24;C23C14/18 |
| 代理公司: | 北京知元同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 劉元霞 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空 絕熱 阻隔 及其 制備 方法 用途 | ||
1.一種真空絕熱板用阻隔膜,其特征在于,所述阻隔膜包括基底和依次設(shè)置在所述基底上的氧化硅涂層和鍍鋁層;所述氧化硅涂層在所述基底上的附著力至少為1級;
所述氧化硅涂層由包括如下質(zhì)量百分比的組分的涂料組合物涂覆、固化形成:
全氫聚硅氮烷PHPS 2%~10%;
催化劑 0.05%~1%;和
溶劑 89%~97.95%;
其中,所述PHPS、催化劑和溶劑的質(zhì)量百分比之和為100%;
所述PHPS數(shù)均分子量在800-3000之間;
其中,所述氧化硅涂層的厚度在0.1-10μm之間;所述鍍鋁層的厚度為10-150nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻隔膜,其特征在于,所述基底為聚合物薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的阻隔膜,其特征在于,所述聚合物為聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰胺或聚酰亞胺。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的阻隔膜,其特征在于,所述阻隔膜還進(jìn)一步包括設(shè)置在鍍鋁層之上的保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的阻隔膜,其特征在于,所述保護(hù)層由包括以下組分的組合物涂覆、固化形成:有機(jī)聚硅氮烷、催化劑和溶劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的阻隔膜,其特征在于,所述保護(hù)層由包括以下質(zhì)量百分比的組分的組合物涂覆、固化形成:
有機(jī)聚硅氮烷 2%-11%;
催化劑 0.05%-2%;
溶劑 88%~97%;
其中,所述有機(jī)聚硅氮烷、催化劑和溶劑的質(zhì)量百分比之和為100%。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的阻隔膜,其特征在于,所述保護(hù)層的厚度為0.1-10μm。
8.一種根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的阻隔膜的制備方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
(1)在基底上制備氧化硅涂層;
(2)在氧化硅涂層之上制備鍍鋁層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述方法進(jìn)一步包括以下步驟:(3)在鍍鋁層之上制備保護(hù)層,得到所述阻隔膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
(1’)制備包括全氫聚硅氮烷PHPS、催化劑和溶劑的涂料組合物,將涂料組合物涂覆在基底上,固化,形成氧化硅涂層;
(2’)將形成氧化硅涂層的基底放置于鍍鋁室內(nèi),在氧化硅涂層之上真空蒸鍍鋁,形成鍍鋁層;
(3’)制備包括有機(jī)聚硅氮烷、催化劑和溶劑的組合物,將該組合物涂覆在鍍鋁層之上,固化,得到所述阻隔膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)或(1’)中,在基底上制備氧化硅涂層前,對所述基底進(jìn)行電暈或等離子體處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法,其特征在于,步驟(1’)中,所述固化為真空紫外固化。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法,其特征在于,所述固化在172nm的真空紫外條件下進(jìn)行,固化時間為0.1-3小時。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法,其特征在于,氧氣體積濃度為0-10%。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法,其特征在于,紫外輻照的次數(shù)至少一次。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法,其特征在于,步驟(2’)中,基底放置于鍍鋁室內(nèi)的速度,也稱為放卷速度為150-350m/min。
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