[發明專利]一種MOSFET晶體管的開關電路

在審

• 申請號: 201710608048.4
• 申請日: 2017-07-24
• 公開（公告）號: CN107592104A
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: 嚴為人;陳伯平
• 申請（專利權）人: 張家港市華為電子有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 蘇州市港澄專利代理事務所(普通合伙)32304
• 代理人: 湯婷

技術領域

本發明涉及信號處理領域，尤其涉及一種MOSFET晶體管的開關電路。

背景技術

目前市面上的轉換器雙路輸出主輸出均為繼電器輸出，該電路的缺點有以下幾點：

1、觸點經常帶大電流斷開吸合，所以長期使用易打火導致觸點損壞；

2、而且大電流觸點繼電器成本也高，繞組工作電流大耗電導致整機效率低；

3、繼電器體積大占用產品空間。

4、繼電器觸點通大電流工作后由于其機械觸點接觸后會產生導通電阻從而產生壓降導致輸出電壓低影響整機效率。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明的主要目的在于提供一種功耗低、穩定性強的開關電路。

根據上述目的，本發明提供一種MOSFET晶體管的開關電路，所述電路包括：供電電壓源；開關晶體管，其集極通過電阻與所述供電電壓源耦接，射極與第一電壓輸出端耦接；MOSFET晶體管，其柵極通過電阻與所述供電電壓源耦接，漏級與所述第一電壓輸出端耦接，源極與第二電壓輸出端耦接。

在一實施例中，所述電路還包括：與所述第一電壓輸出端并聯的第一電容。

在一實施例中，所述電路還包括：與所述第二電壓輸出端并聯的第二電容。

在一實施例中，所述MOSFET晶體管的型號為BSC011N03LS。

本發明提供的一種MOSFET晶體管的開關電路，利用MOSFET晶體管的內部感應電荷來控制開關管的源漏極電流，代替原繼電器觸點帶電開關。從而降低了成本的同時也提高可靠性，減小了產品的整體體積，增加了產品的整機效率。

附圖說明

圖1示出了本發明一種MOSFET晶體管的開關電路一個方面的電路圖；

圖2示出了控制繼電器開關電路圖。

具體實施方式

為了使本技術領域的人員更好地理解本發明中的技術方案，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本發明保護的范圍。

請參看圖1，圖1示出了本發明一種MOSFET晶體管的開關電路一個方面的電路圖。

開關電路包括外接電壓源VDD1，開關晶體管Q1，開關晶體管Q1通過電阻R90同外接電壓源VDD1耦接，開關晶體管Q1的射極直接同第一電壓輸出端VO+1連接。當Q13E點高電平時，開關晶體管Q1導通，電壓輸出端VO+1即有電壓輸出。

MOSFET晶體管Q10的柵極通過電阻R87和電阻R90與供電電壓源VDD1耦接，MOSFET晶體管Q10的漏級與第一電壓輸出端耦接，源極與第二電壓輸出端VO+2耦接。

這樣，第二電壓輸出端VO+2不會受電路的控制，會常輸出電壓。第一電壓輸出端VO+1即可受電路的控制，選擇輸出電壓或者不輸出電壓。

D1為Q10的內部等效二極管，當輸出端的電池反接時，也不會有電壓流過Q10導致機器損壞。

在一實施例中，電路還包括：與第一電壓輸出端VO+1并聯的第一電容C57。

在一實施例中，電路還包括：與第二電壓輸出端VO+2并聯的第二電容C51。

在一實施例中，MOSFET晶體管Q10的型號為BSC011N03LS。

本發明提供的電路優點如下：

1、利用MOS晶體管的內部感應電荷來控制開關管的源漏極電流，所以無機械觸點打火產生的損壞；

2、以繼電器NVF4‐3A‐Z80a‐DC12V為例其的繞組的阻值為300歐姆工作電流為40mA，而用BSC011N03LS的電流在uA級就夠了；

3、繼電器NVF4‐3A‐Z80a‐DC12V的尺寸為29×29×26.5mm，功率管BSC011N03LS的占用空間為6×5×1mm，節省空間明顯；

4、繼電器NVF4‐3A‐Z80a‐DC12V觸點接觸電阻10mΩ,功率管BSC011N03LS導通內阻1.1mΩ，如輸出電流40A，流經繼電器觸點的損耗為16W,而流經功率管BSC011N03LS的損耗為1.76W節電效果明顯。

此外，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。