[發明專利]一種Pr2(MoO4)3薄膜的直接制備方法有效
| 申請號： | 201710606799.2 | 申請日： | 2017-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN107574466B | 公開（公告）日： | 2019-11-26 |
| 發明（設計）人： | 武曉鸝;龍飛;張鐵;劉俊均;吳一 | 申請（專利權）人： | 桂林理工大學 |
| 主分類號： | C25D9/06 | 分類號： | C25D9/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 541004 廣西壯*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 電沉積溶液 成膜 氮氣 電沉積反應 鼓風干燥箱 三電極體系 檸檬酸 熱處理 薄膜制備 導電玻璃 粉末形貌 去離子水 無水乙醇 稀土離子 直接制備 電沉積 管式爐 水浴 水中 沉積 沖洗 離子 耗時 溶解 | ||
1.一種Pr2(MoO4)3薄膜的直接制備方法，其特征在于具體步驟為：
(1)將Pr(NO3)3·6H2O溶解于去離子水中配制成稀土離子濃度為0.005~1mol/L的稀土離子溶液，然后將乙二胺四乙酸EDTA或者檸檬酸按照與稀土離子總量的摩爾比為1~5:1的比例加入到上述稀土離子溶液中，再滴加0.1~1mol/L的NaOH溶液直至混合溶液的pH達到12.0~13.0，最后再加入Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，其中Na2MoO4·2H2O的加入量與稀土離子總量的摩爾比為1~5:1，KCl的加入量與稀土離子總量的摩爾比為1~50:1，HNO3的加入量用于調節混合溶液的pH值為4~6，混合均勻后獲得電沉積溶液；
(2)將步驟(1)制得的電沉積溶液置于水浴中，攪拌使電沉積溶液的溫度達到30~80℃，獲得備用電沉積溶液；
(3)以表面鍍有透明導電層的玻璃作為工作電極即陽極，Pt網作為對電極即陰極，Ag/AgCl/Cl-電極作為參比電極，組成三電極體系；
(4)將步驟(3)組成的三電極體系插入步驟(2)獲得的備用電沉積溶液中，設置沉積電壓為2.0~3V，沉積時間為15min~3h，在透明導電層上沉積一層電沉積薄膜；
(5)將步驟(4)制得的電沉積薄膜分別用去離子水、無水乙醇沖洗，然后置于40~80℃的鼓風干燥箱中干燥5min~24h；
(6)將步驟(5)干燥好的電沉積薄膜置于通有氮氣的管式爐中進行熱處理，設置升溫速率為1~10℃/min，升溫至300~700℃保溫0.5~10h，即制得Pr2(MoO4)3薄膜；
所述透明導電層為ITO、FTO或者AZO。
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