[發(fā)明專利]一種多晶硅蝕刻方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710606790.1
• 申請日: 2017-07-24
• 公開（公告）號: CN107507771A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋宏坤
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 深圳匯智容達(dá)專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)44238
• 代理人: 潘中毅,熊賢卿

1.一種多晶硅蝕刻方法，其特征在于，包括下述步驟：

S1、將氧氣和/或臭氧，以及氟類氣體進(jìn)行電離，得到等離子體態(tài)的第一蝕刻氣體，在預(yù)設(shè)時間段通過所述第一蝕刻氣體對涂布有光阻的多晶硅進(jìn)行蝕刻處理；

S2、將氯氣進(jìn)行電離，得到等離子體態(tài)的第二蝕刻氣體，通過所述第二蝕刻氣體對所述多晶硅進(jìn)行蝕刻處理，直至所述多晶硅蝕刻完成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅蝕刻方法，其特征在于，所述步驟S1包括：

將涂布有光阻的所述多晶硅放置于等離子體反應(yīng)器中，往所述等離子體反應(yīng)器中通入氧氣和/或臭氧，以及氟類氣體，且開啟所述等離子體反應(yīng)器的激勵電源，對氧氣和/或臭氧，以及氟類氣體進(jìn)行電離，得到所述第一蝕刻氣體；

開啟所述等離子體反應(yīng)器的偏壓電源，控制所述第一蝕刻氣體對所述多晶硅進(jìn)行蝕刻達(dá)到所述預(yù)設(shè)時間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅蝕刻方法，其特征在于，所述步驟S1之后還包括：

關(guān)閉所述激勵電源和所述偏壓電源，且停止往所述等離子體反應(yīng)器中通入氧氣和/或臭氧，以及氟類氣體；

將所述等離子體反應(yīng)器中的殘留氣體抽出。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅蝕刻方法，其特征在于，所述步驟S2進(jìn)一步包括：

往所述等離子體反應(yīng)器中通入氯氣，開啟所述激勵電源，對所述氯氣進(jìn)行電離，得到所述第二蝕刻氣體；

開啟所述偏壓電源，控制所述第二蝕刻氣體對所述多晶硅進(jìn)行蝕刻，直至將所述多晶硅蝕刻完成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述多晶硅蝕刻方法，其特征在于，還包括下述步驟：

監(jiān)測所述多晶硅的反應(yīng)物所激發(fā)的光譜，判斷所述多晶硅是否蝕刻完成。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述多晶硅蝕刻方法，其特征在于，所述激勵電源和所述偏壓電源的輸出功率比值范圍為：1/2~2/3。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述多晶硅蝕刻方法，其特征在于，所述氟類氣體包括有：六氟化硫、四氟化碳中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述多晶硅蝕刻方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時間根據(jù)預(yù)設(shè)的多晶硅線寬設(shè)定。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述多晶硅蝕刻方法，其特征在于，所述激勵電源的輸出功率范圍為：3kw~20kw。