[發明專利]發光器件、像素界定層及其制造方法有效
| 申請號: | 201710606747.5 | 申請日: | 2017-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN107204359B | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發明(設計)人: | 陳黎暄 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李慶波 |
| 地址: | 518006 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 像素 界定 及其 制造 方法 | ||
本發明像素界定層包括第一界定層和第二界定層,所述第一界定層包括壩體,所述第二界定層包括設置在壩體頂部和側壁/部分側壁的金屬層,位于壩體頂部的金屬層表面具有納米微結構。本發明還提供一種發光器件。本發明制作方法之一:壩體上制備第二界定層,在第二界定層上通過納米壓印制程制備表面具有納米微結構的光阻層,再通過蝕刻制程使壩體頂部的第二界定層表面具有納米微結構。本發明制作方法之二:通過掠入射沉積方式在基底及第一界定層上制備表面具有納米微結構的第二界定層;通過蝕刻制程去除基底上方位于壩體之間的第二界定層。本發明像素界定層可以阻擋側向漏光使出射光能量提高;金屬層納米微結構具有疏液特性,保證了墨水滴落的可靠性。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種發光器件,以及其中的像素界定層及其制造方法。
背景技術
OLED顯示器由于同時具備自發光、不需要背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板等優點,被認為是下一代的平面顯示器新興應用技術。
在OLED技術中需要采用有機或者無機材料制作像素界定層,以將用于發光的有機材料限定在像素界定層限定出的子像素區域中,實現高分辨率和全彩色顯示。OLED由于是自發光器件,同時其發光層很薄,在陰陽極重疊區域,載流子通過電子-空穴對的復合躍遷,產生激子的單重態和三重態發光,這種OLED發出的光方向性較好,會向陰陽極兩個方向出射。但是量子點色阻層(QDCF,Quantum Dot Color Filter)具有不同的發光特性,由于在QDCF中依然利用了量子點材料的光致發光特性,當入射光射入,量子點發出的光會有相當幾率向各個方向出射。這意味著不僅在垂直方向上,同時在水平方向上皆有QD出射光的可能,這一特性一方面有利于QDCF材料對LCD視角的改善作用,但另一方面,會導致CF光阻層之間的橫向激發,如圖2,當綠色QD色阻101發光,現有技術所采用的透明像素界定層無法阻擋橫向出射,導致綠色QD色阻101發出的光激發了臨近紅色QD色阻102,影響顯示效果。若采用常規的BM(Black Matrix,黑色矩陣)則不能滿足像素界定層相對于滴落的墨水溶液具備頂部疏液和底部親液的特性。
因此,提供一種能夠同時滿足頂部疏液和底部親液的特性,又能避免橫向激發的影響,這樣的像素界定層實為必要。
發明內容
本發明的目的在于提供一種滿足親疏液特性、可避免橫向激發影響的像素界定層及其制造方法。
本發明的另一目的在于提供一種出光能量高的發光器件。
為實現上述目的,本發明提供一種像素界定層,其包括第一界定層和第二界定層,所述第一界定層包括設置在基底上的壩體,所述第二界定層包括設置在壩體頂部和部分側壁上的金屬層,位于壩體頂部的金屬層表面具有納米微結構。
本發明像素界定層在壩體頂部和至少部分側壁上制備了金屬層,并且位于壩體頂部的金屬層表面具有納米微結構,一方面具有反射QDCF發出的各個方向光線,阻擋水平能量傳遞,使出射光能量提高的目的;另一方面,金屬層的納米微結構具有疏液特性,從而保證了噴墨打印時,墨水滴落的可靠性。
較佳實施方式中,所述第一界定層還包括設置在壩體下方的黑色遮光材料。進一步遮擋水平方向的出光,提高出射光能量。
較佳實施方式中,所述第一界定層的壩體采用黑色遮光材料制成。進一步遮擋壩體方向的側面出光,大大提高出射光能量。
較佳實施方式中,所述位于壩體至少部分側壁上的金屬層表面具有納米微結構。
較佳實施方式中,所述金屬層進一步覆蓋所述壩體之間的未被所述壩體覆蓋的所述基底。進一步的,設置在基底上的金屬層與所述壩體至少部分側壁上的金屬層連接一體,較佳實施方式中,所述基底上的金屬層為光滑結構。基底上光滑結構的金屬層符合像素界定層底部的親液特性要求。
較佳實施方式中,所述納米微結構的尺寸范圍在50nm~600nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





