[發明專利]掃描脈沖退火裝置及方法在審
| 申請號: | 201710606365.2 | 申請日: | 2015-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN107578991A | 公開(公告)日: | 2018-01-12 |
| 發明(設計)人: | 阿倫·繆爾·亨特;阿米科姆·薩德;塞繆爾·C·豪厄爾斯;道格拉斯·E·霍姆格倫;布魯斯·E·亞當斯;西奧多·P·莫菲特;斯蒂芬·莫法特 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/67;B23K26/00;B23K26/0622;B23K26/073;B23K26/08;B23K26/70 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國,趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掃描 脈沖 退火 裝置 方法 | ||
1.一種用于熱處理基板的裝置,所述裝置包括:
能量輸入模塊,所述能量輸入模塊具有多個脈沖激光源并產生多個激光脈沖;
脈沖控制模塊,所述脈沖控制模塊具有一個或多個脈沖控制器,所述一個或多個脈沖控制器將所述多個脈沖激光源的單個脈沖組合為組合激光脈沖;
脈沖塑形模塊,所述脈沖塑形模塊具有一個或多個脈沖塑形器,所述脈沖塑形器調整所述組合激光脈沖的時間分布;
均化器,所述均化器調整所述組合激光脈沖的空間能量,并將所述組合激光脈沖重疊成為均勻能量場;
孔構件,所述孔構件從所述均勻能量場去除剩余的邊緣不均勻性;
對齊模塊,所述對齊模塊允許所述均勻能量場與在基板支撐件上的位置對齊;以及
控制器,所述控制器耦合所述能量輸入模塊以控制所述激光脈沖的產生。
2.如權利要求1所述的裝置,其中所述能量輸入模塊以至少100Hz的頻率發出脈沖。
3.如權利要求1所述的裝置,其中所述激光脈沖包括532納米的電磁能量和至少250mJ/cm2的能量密度。
4.如權利要求1所述的裝置,其中所述基板支撐件是能夠移動的。
5.如權利要求4所述的裝置,其中所述基板支撐件在X方向和垂直于所述X方向的Y方向上是能夠移動的。
6.如權利要求4所述的裝置,其中所述控制器控制所述可移動基板支撐件以選定的速度在平行于待處理矩形分布的選定的邊緣的方向上進行掃描,使得在沿著平行于所述選定的邊緣的直線上的每個點接收每點至少6個電磁能量脈沖。
7.如權利要求6所述的裝置,其中每一點接收至多64個電磁能量脈沖。
8.如權利要求1所述的裝置,其中所述控制器被耦合至所述脈沖控制模塊以控制脈沖特性。
9.如權利要求8所述的裝置,其中所述控制器被耦合至所述基板支撐件以控制所述基板支撐件的移動。
10.一種用于熱處理基板的裝置,所述基板上包含多個晶片,所述裝置包括:
能量輸入模塊,所述能量輸入模塊具有多個脈沖激光源并產生多個激光脈沖;
脈沖控制模塊,所述脈沖控制模塊具有一個或多個脈沖控制器,所述一個或多個脈沖控制器將所述多個脈沖激光源的單個脈沖組合為組合激光脈沖;
脈沖塑形模塊,所述脈沖塑形模塊具有一個或多個脈沖塑形器,所述脈沖塑形器調整所述組合激光脈沖的時間分布;
均化器,所述均化器調整所述組合激光脈沖的空間能量,并將所述組合激光脈沖重疊成為均勻能量場;
孔構件,所述孔構件從所述均勻能量場去除剩余的邊緣不均勻性;
對齊模塊,所述對齊模塊允許所述均勻能量場與在基板支撐件上的位置對齊;以及
控制器,所述控制器耦合所述能量輸入模塊以控制所述激光脈沖的產生,所述控制器也耦合至所述脈沖控制模塊和所述基板支撐件。
11.如權利要求10所述的裝置,其中所述能量輸入模塊以至少1000Hz的頻率發出脈沖。
12.如權利要求10所述的裝置,其中所述基板支撐件是能夠移動的。
13.如權利要求12所述的裝置,其中所述基板支撐件在X方向和垂直于所述X方向的Y方向上是能夠移動的。
14.如權利要求10所述的裝置,其中所述控制器控制所述可移動基板支撐件以選定的速度在平行于待處理矩形分布的選定的邊緣的方向上進行掃描,使得在沿著平行于所述選定的邊緣的直線上的每個點接收每點至少6個電磁能量脈沖。
15.一種處理基板的方法,所述基板上包含多個晶片,所述方法包括:
將用于掃描的基板安置在脈沖激光源的光學路徑下方;
定位所述基板使得所述基板上的至少一列晶片與所述光學路徑對齊;
初始化激光脈沖;
沿著所述至少一列晶片穿過所述光學路徑掃描所述基板;以及
在所述至少一列晶片穿過所述光學路徑而被掃描后,停止所述激光脈沖。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





