[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201710605564.1
• 申請日: 2017-07-24
• 公開（公告）號: CN107731907B
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 趙珉熙;安佑松;崔民洙;山田悟;金俊秀;李盛三
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;田野

提供一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：有源區，位于基底上；器件隔離膜，位于基底上以限定有源區；柵極溝槽，包括位于有源區中的第一部分和位于器件隔離膜中的第二部分；柵電極，包括嵌入在柵極溝槽的第一部分中的第一柵極和嵌入在柵極溝槽的第二部分中的第二柵極；第一柵極覆蓋圖案，位于第一柵極上并填充柵極溝槽的第一部分；第二柵極覆蓋圖案，位于第二柵極上并填充柵極溝槽的第二部分，第一柵極的上表面高于第二柵極的上表面，第一柵極覆蓋圖案和第二柵極覆蓋圖案具有不同的結構。

于2016年8月12日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0103037號名稱為“半導體裝置”的韓國專利申請通過引用全部包含于此。

技術領域

實施例涉及一種半導體裝置。

背景技術

由于半導體裝置的集成迅速增大，所以晶體管的尺寸已經急劇減小。因此，已經積極地進行了對具有凹陷柵極結構、嵌入式柵極結構等的三維晶體管的研究。

發明內容

根據實施例，半導體裝置包括：有源區，位于基底上；器件隔離膜，限定有源區；柵極溝槽，延伸到器件隔離膜中同時穿過有源區，并且包括位于有源區中的第一部分和位于器件隔離膜中的第二部分；柵電極，包括嵌入在柵極溝槽的第一部分中的第一柵極和嵌入在柵極溝槽的第二部分中的第二柵極；第一柵極覆蓋圖案，設置在第一柵極上并填充柵極溝槽的第一部分；第二柵極覆蓋圖案，設置在第二柵極上并填充柵極溝槽的第二部分。第一柵極的上表面高于第二柵極的上表面，第一柵極覆蓋圖案和第二柵極覆蓋圖案具有不同的結構。

根據另一實施例，半導體裝置包括：基底，包括有源區和限定有源區的器件隔離膜；柵極溝槽，延伸到器件隔離膜中同時穿過有源區，并且包括位于有源區中的第一部分和位于器件隔離膜中的第二部分；柵電極，包括嵌入在柵極溝槽的第一部分中的第一柵極和嵌入在柵極溝槽的第二部分中的第二柵極；柵極覆蓋圖案，設置在第一柵極和第二柵極上。第一柵極的上表面高于第二柵極的上表面，柵極覆蓋圖案具有堆疊有不同材料的結構。

根據另一實施例，半導體裝置包括：有源區，位于基底上；器件隔離膜，位于基底上，以限定有源區；柵極溝槽，包括穿過有源區的第一部分和穿過器件隔離膜的第二部分；柵電極，包括位于柵極溝槽的第一部分中的第一柵極和位于柵極溝槽的第二部分中的第二柵極，第一柵極的上表面相對于基底的底部高于第二柵極的上表面；第一柵極覆蓋圖案，位于第一柵極上；第二柵極覆蓋圖案，位于第二柵極上，第二柵極覆蓋圖案具有比第一柵極覆蓋圖案的介電常數低的介電常數。

附圖說明

通過參照附圖對示例性實施例的詳細描述，對本領域普通技術人員而言，特征將變得明顯，在附圖中：

圖1示出了根據示例實施例的半導體裝置的布局圖；

圖2至圖6示出了根據示例實施例的半導體裝置的剖視圖；

圖7至圖15示出了根據示例實施例的制造半導體裝置的方法的步驟的剖視圖；

圖16和圖17示出了根據示例實施例的制造半導體裝置的方法的步驟的剖視圖；

圖18和圖19示出了根據示例實施例的制造半導體裝置的方法的步驟的剖視圖；

圖20至圖22示出了根據示例實施例的制造半導體裝置的方法的步驟的剖視圖；

圖23至圖24示出了根據示例實施例的制造半導體裝置的方法的步驟的剖視圖；

圖25示出了根據示例實施例的包括半導體裝置的電子設備的框圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖描述實施例。

圖1是根據示例實施例的半導體裝置的布局圖。圖2至圖6是根據示例實施例的半導體裝置的剖視圖。