[發明專利]像素驅動單元及其形成方法、顯示背板、像素驅動電路

有效

• 申請號: 201710605378.8
• 申請日: 2017-07-24
• 公開（公告）號: CN107248393B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 郭小軍;趙家慶;劉文江;樊嘉麗;許興華
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: G09G3/3225
• 分類號: G09G3/3225;H01L27/32
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;董琳

1.一種像素驅動單元，其特征在于，包括：

基板，所述基板內具有第一晶體管，所述第一晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管或非晶氧化物薄膜晶體管，所述第一晶體管包括第一柵電極、第一有源層、第一源電極和第一漏電極，所述第一源電極和第一漏電極表面具有絕緣層；

位于所述絕緣層表面的第二有源層；

位于所述第二有源層兩側的第二源電極和第二漏電極；

所述第二源電極、第二有源層在基板表面的投影與所述第一源電極在基板表面的投影有重疊，使得部分所述第一源電極、絕緣層、第二有源層、第二漏電極、第二源電極構成第二晶體管，且所述第二晶體管為有機薄膜晶體管，部分第一源電極、第二源電極以及絕緣層構成第一電容。

2.根據權利要求1所述的像素驅動單元，其特征在于，所述基板還包括襯底和第一柵極絕緣層；所述第一柵電極位于部分襯底表面，所述第一柵極絕緣層覆蓋所述第一柵電極和襯底，所述第一有源層、第一源電極和第一漏電極位于部分第一柵極絕緣層表面，且所述第一源電極和第一漏電極位于所述第一有源層兩側，與所述第一有源層連接；所述絕緣層覆蓋所述第一有源層、第一源電極和第一漏電極。

3.根據權利要求1所述的像素驅動單元，其特征在于，所述基板還包括襯底、位于襯底表面的平坦層，所述第一有源層位于部分所述平坦層表面，所述第一源電極和第一漏電極位于所述第一有源層兩側，與所述第一有源層連接，所述絕緣層覆蓋所述第一有源層、第一源電極、第一漏電極以及平坦層，所述第一柵電極位于所述絕緣層表面。

4.根據權利要求1所述的像素驅動單元，其特征在于，所述第一晶體管和第二晶體管為底柵底接觸結構、底柵頂接觸結構、頂柵底接觸結構或頂柵頂接觸結構。

5.根據權利要求1所述的像素驅動單元，其特征在于，所述第一晶體管為N型器件，所述第二晶體管為P型器件。

6.根據權利要求1所述的像素驅動單元，其特征在于，還包括覆蓋所述基板、第二源電極、第二漏電極以及第二有源層的封裝層，以及位于所述封裝層內的通孔，所述通孔暴露所述第二漏電極的部分表面；所述基板內或基板表面還具有發光器件，所述通孔內填充有金屬層，所述金屬層與所述發光器件連接。

7.根據權利要求1所述的像素驅動單元，其特征在于，還包括位于所述基板內或基板上方的至少一個第三晶體管和/或至少一個第二電容。

8.一種像素驅動單元的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板內具有第一晶體管，所述第一晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管或非晶氧化物薄膜晶體管，所述第一晶體管包括第一柵電極、第一源電極和第一漏電極，所述第一源電極和第一漏電極表面具有絕緣層；

在所述絕緣層表面形成第二源電極和第二漏電極，所述第二源電極和第二漏電極之間具有開口，且所述第二源電極在基板表面的投影與所述第一源電極在基板表面的投影有重疊，使得部分第一源電極、第二源電極以及絕緣層構成第一電容；

在所述絕緣層表面形成位于所述開口內的第二有源層，且所述第二有源層在基板表面的投影與所述第一源電極在基板表面的投影有重疊，使得部分所述第一源電極、絕緣層、第二有源層、第二漏電極、第二源電極構成第二晶體管，且所述第二晶體管為有機薄膜晶體管。

9.根據權利要求8所述的像素驅動單元的形成方法，其特征在于，所述第二源電極、第二漏電極以及第二有源層的形成方法進一步包括：在所述絕緣層表面形成電極材料層；對所述電極材料層進行圖形化，形成所述第一源電極和第二漏電極，所述第二源電極和第二漏電極之間具有一開口；形成填充滿所述開口且覆蓋所述第二源電極、第二漏電極和絕緣層的第二有源材料層；對所述第二有源材料層進行圖形化，形成所述第二有源層。

10.根據權利要求9所述的像素驅動單元的形成方法，其特征在于，形成所述第二有源材料層的方法包括熱蒸發工藝、涂布工藝或噴墨工藝中的一種或幾種。