[發明專利]半導體裝置和半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201710604962.1
• 申請日: 2017-07-24
• 公開（公告）號: CN107819025B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 前田涼;坂田敏明;竹野入俊司
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 楊敏;金玉蘭

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

并列pn層，將第一導電型半導體區和第二導電型半導體區沿與第一導電型半導體層的表面平行的方向交替地重復配置在所述第一導電型半導體層上而成；

元件結構，設置在所述并列pn層的與所述第一導電型半導體層側相反一側；

第一電極，與構成所述元件結構的半導體部電連接；以及

第二電極，與所述第一導電型半導體層電連接，

其中，所述第一導電型半導體區的寬度遍及深度方向恒定，

所述第二導電型半導體區的寬度遍及深度方向恒定，

所述第一導電型半導體區具有使所述第二電極側的部分的雜質濃度高于所述第一電極側的部分的雜質濃度而成的雜質濃度分布曲線，

所述第二導電型半導體區具有使所述第二電極側的部分的雜質濃度高于所述第一電極側的部分的雜質濃度并且使所述第一電極側的部分的預定厚度的一位置的雜質濃度相對地低于該第一電極側的部分的其他部分的雜質濃度而成的雜質濃度分布曲線，

所述第二導電型半導體區的所述第二電極側的部分的雜質濃度高于所述第一導電型半導體區的所述第二電極側的部分的雜質濃度，

所述第一導電型半導體區的所述第一電極側的部分的雜質濃度在深度方向上均等，

所述第二導電型半導體區的所述第一電極側的部分中除雜質濃度相對低的所述一位置的低濃度部分以外的基本構成部分的雜質濃度在深度方向上均等，

在所述第二導電型半導體區中，所述基本構成部分分別與所述低濃度部分的所述第一電極側和所述第二電極側相鄰，

所述第二導電型半導體區的所述低濃度部分的中心的深度位置位于比所述并列pn層的厚度的一半更靠所述第二電極側的位置。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二導電型半導體區的所述第二電極側的部分與所述第一電極側的部分之間的邊界位于比所述第一導電型半導體區的所述第二電極側的部分與所述第一電極側的部分之間的邊界更靠所述第一電極側的位置。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一導電型半導體區的總雜質量與所述第二導電型半導體區的總雜質量相等。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二導電型半導體區的所述第一電極側的部分的雜質濃度與所述第一導電型半導體區的所述第一電極側的部分的雜質濃度相等。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一導電型半導體區的所述第二電極側的部分的雜質濃度隨著朝向所述第二電極側以預定的比例變高。

6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二導電型半導體區的所述第二電極側的部分的雜質濃度隨著朝向所述第二電極側以預定的比例變高。

7.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二導電型半導體區的所述低濃度部分的雜質濃度在該低濃度部分的深度方向的中央附近成為最低。

8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述元件結構具有：

第二導電型的第一半導體區，與所述第一導電型半導體區接觸而設置在所述第二導電型半導體區的與所述第一導電型半導體層側相反一側的表面層，并構成所述半導體部；

第一導電型的第二半導體區，選擇性地設置在所述第一半導體區的內部，并構成所述半導體部；

柵絕緣膜，與所述第一半導體區的位于所述第一導電型半導體區與所述第二半導體區之間的區域接觸而設置；以及

柵電極，以隔著所述柵絕緣膜的方式設置在所述第一半導體區的相反側。

9.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，在所述第一導電型半導體層與所述并列pn層之間，還具備雜質濃度比所述第一導電型半導體區的雜質濃度低的第一導電型低濃度半導體層。