[發明專利]具有Cu2MnAl結構的高有序Ni2VAl合金超薄帶的制備方法

有效

• 申請號: 201710604582.8
• 申請日: 2017-07-24
• 公開（公告）號: CN107350439B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 王菲;馮磊;張冬梅
• 申請（專利權）人: 河北工業大學;華北理工大學
• 主分類號: B22D11/06
• 分類號: B22D11/06
• 代理公司: 天津翰林知識產權代理事務所(普通合伙) 12210
• 代理人: 胡安朋

本發明具有Cu₂MnAl結構的高有序Ni₂VAl合金超薄帶的制備方法，涉及鎳基合金，采用甩帶的辦法快速一步制備得到單一L₂₁相的具有Cu₂MnAl結構的高有序的Ni₂VAl合金超薄帶，步驟是：根據元素組成式Ni₂VAl中的原子配比配制原料；熔煉原料成Ni₂VAl合金錠子；制備Ni₂VAl合金超薄帶產品；測試Ni₂VAl合金超薄帶的結構確定制得的Ni₂VAl合金超薄帶產品是具有單一L₂₁相的Cu₂MnAl結構的高有序Ni₂VAl合金超薄帶，得到了該合金的具體結構信息，克服了目前國際晶體學數據庫中尚沒有這種材料的結構信息的缺陷。

技術領域

本發明的技術方案涉及鎳基合金，具體地說是具有Cu₂MnAl結構的高有序Ni₂VAl合金超薄帶的制備方法。

背景技術

1975年，Marazza,Ferro和Rambaldi首先報道了金屬間化合物Ni₂VAl。他們將純Ni、純V、純Al的金屬單質利用電弧爐在高純氬氣氛圍下熔煉成鈕扣狀金屬合金錠子，然后將樣品在500℃在氬氣保護氛圍下退火一周的時間，樣品緩慢冷卻至室溫后將樣品取出，研磨成粉末，利用X射線衍射辦法，他們確認該Ni₂VAl合金具有Cu₂MnAl型晶體結構或 CsCl型晶體結構，他們根據衍射數據得到合金的晶格常數為1992年，Lin和 Freeman基于局域密度近似的全電勢自洽方法研究了Ni₂VAl的電子結構性質，他們發現該合金在制備過程中會形成L₂₁和B₂相的混合相，因為這兩個相之間的形成能很小，因此他們斷定不能制備出單一L₂₁相的Ni₂VAl，因此也不能通過實驗的辦法精確測定L₂₁相Ni₂VAl 的精確晶格常數。單一L₂₁相的Cu₂MnAl結構的Ni₂VAl合金是一種原子排列高有序的金屬合金，是一種新的物相，目前國際晶體學數據庫中尚沒有這種材料的結構信息。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供具有Cu₂MnAl結構的高有序Ni₂VAl合金超薄帶的制備方法，采用甩帶的辦法快速一步制備得到具有單一L₂₁相的Cu₂MnAl結構的高有序的Ni₂VAl合金超薄帶，得到了該合金的具體結構信息，克服了目前國際晶體學數據庫中尚沒有這種材料的結構信息的缺陷。

本發明解決該技術問題所采用的技術方案是：具有Cu₂MnAl結構的高有序Ni₂VAl合金超薄帶的制備方法，采用甩帶的辦法快速一步制備得到單一L₂₁相的具有Cu₂MnAl結構的高有序的Ni₂VAl合金超薄帶，具體步驟如下：

第一步，配制原料：

根據元素組成式Ni₂VAl中的原子配比，計算出相應的元素質量比，利用高精度的電子天平進行精確的質量稱量以稱取所需質量的純Ni、純V和純Al，每種金屬原料的質量誤差在±0.0005g，完成配制原料；

第二步，熔煉原料成Ni₂VAl合金錠子：