[發明專利]能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的材料及制備和應用

有效

• 申請號: 201710603897.0
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107481920B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 林柏霖;郭東亮;龔晉慷;姚遠;顏杉杉
• 申請（專利權）人: 上海科技大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C12N1/21;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 翁若瑩;王婧

1.一種能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的材料，其特征在于，包括硅片以及形成于硅片表面的能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的硅納米線陣列結構；所述的硅納米線的長度為5-8μm、直徑為80-110nm，其長度方向垂直于硅片表面，相鄰納米線頂端之間相互依偎，形成團簇，納米線的團簇之間相隔500-2500nm。

2.權利要求1所述的能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的材料的制備方法，其特征在于，包括：清洗硅片、去除表面的氧化層、通過金屬輔助化學刻蝕在硅片表面形成能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的硅納米線陣列結構。

3.如權利要求2所述的能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的材料的制備方法，其特征在于，所述的清洗硅片的具體步驟包括：將硅片浸泡于95％-98％以上的H₂SO₄和30wt％-40wt％H₂O₂以4:1-3:1體積比混合的溶液中，10-15分鐘后取出并用去離子水清洗3-5次，然后將硅片依次用丙酮、酒精和去離子水超聲清洗10-15分鐘。

4.如權利要求3所述的能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的材料的制備方法，其特征在于，所述的硅片為提拉法制備的單晶晶圓片。

5.如權利要求2所述的能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的材料的制備方法，其特征在于，所述的去除表面的氧化層的具體步驟包括將清洗干凈的硅片浸泡于5％-10％HF中3-5min。

6.如權利要求2所述的能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的材料的制備方法，其特征在于，所述的金屬輔助化學刻蝕的具體步驟包括：將硅片用去離子水清洗后浸泡于鍍銀溶液55s-60s，取出后用去離子水沖洗，后放入含有4.8M-5M HF和0.3M-0.4M H₂O₂的溶液中18-20min，得到刻蝕后的硅片；將刻蝕后的硅片浸泡于濃硝酸中5-20min，以去除硅表面殘留的Ag納米顆粒，最后用去離子水清洗并用氮氣吹干，在硅片表面形成能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的硅納米線陣列結構，即得能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的材料。

7.如權利要求6所述的能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的材料的制備方法，其特征在于，所述的鍍銀溶液含有4.8M-5M HF和0.01M-0.015M AgNO₃。

8.權利要求1所述的能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的材料的應用方法，其特征在于，包括：將轉移質粒的大腸桿菌細胞置于權利要求1所述的能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的材料的表面，在室溫下培養18-24小時。

9.如權利要求8所述的能夠利用機械應力誘導細菌形貌伸長的材料的應用方法，其特征在于，所述的轉移質粒為p-28a型或6p-1型。