[發(fā)明專利]弱磁場檢測裝置及其制備方法

在審

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• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107462846A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喬德靈;李興旺
• 申請（專利權(quán)）人: 北京藍(lán)瑪星際科技有限公司
• 主分類號: G01R33/02
• 分類號: G01R33/02
• 代理公司: 佛山幫專知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44387
• 代理人: 顏春艷

1.一種弱磁場檢測裝置，包括印刷電路板，所述印刷電路板上設(shè)有弱磁場傳感器，其特征在于，所述弱磁場檢測裝置還包括磁聚焦放大器，所述磁聚焦放大器與所述印刷電路板固定連接，所述磁聚焦放大器包括聚焦端，所述聚焦端呈錐狀，所述聚焦端的錐尖與所述弱磁場傳感器的磁敏感點(diǎn)相接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弱磁場檢測裝置，其特征在于，所述磁聚焦放大器與所述印刷電路板通過可調(diào)節(jié)螺絲固定連接，所述印刷電路板上開設(shè)有裝配通孔，所述裝配通孔的尺寸大于所述可調(diào)節(jié)螺絲的尺寸，所述磁聚焦放大器設(shè)有與所述印刷電路板相貼合的裝配面，所述裝配面上設(shè)有與所述裝配通孔相對應(yīng)的裝配沉孔，所述磁聚焦放大器與所述印刷電路板之間設(shè)有彈性墊片。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的弱磁場檢測裝置，其特征在于，所述裝配通孔的數(shù)量為2個(gè)，所述裝配通孔呈長方形，2個(gè)所述裝配通孔與所述磁敏感點(diǎn)排列成一直線，所述裝配通孔的長邊平行于所述直線。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弱磁場檢測裝置，其特征在于，所述弱磁場傳感器為TMR磁傳感器，所述磁聚焦放大器的材料為鐵鎳軟磁合金，所述磁聚焦放大器呈棱錐形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的弱磁場檢測裝置，其特征在于，所述印刷電路板上還包括濾波調(diào)理電路、可編程增益放大電路、ADC數(shù)據(jù)采集模塊和數(shù)據(jù)分析處理模塊；

所述濾波調(diào)理電路連接于所述弱磁場傳感器的輸出端，所述濾波調(diào)理電路用于對所述弱磁場傳感器采集的檢測信號進(jìn)行濾波調(diào)理，得到濾波信號；

所述可編程增益放大電路連接于所述濾波調(diào)理電路的輸出端，所述可編程增益放大電路用于對所述濾波信號的信號幅值進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整，得到調(diào)整信號；

所述ADC數(shù)據(jù)采集模塊與所述可編程增益放大電路相連接，所述ADC數(shù)據(jù)采集模塊用于對所述調(diào)整信號進(jìn)行轉(zhuǎn)換，得到轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)；

所述數(shù)據(jù)分析處理模塊連接于所述ADC數(shù)據(jù)采集模塊的輸出端，所述數(shù)據(jù)分析處理模塊用于對所述轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理，得到檢測數(shù)據(jù)。

6.一種弱磁場檢測裝置的制備方法，其特征在于，所述制備方法用于制備權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的弱磁場檢測裝置，所述制備方法包括：

獲取所述磁敏感點(diǎn)在所述印刷電路板上的定點(diǎn)位置；

根據(jù)所述定點(diǎn)位置，得到所述裝配通孔的通孔開孔位置并制作所述裝配通孔；

根據(jù)所述定點(diǎn)位置和所述開孔位置，在所述裝配面得到所述裝配沉孔的沉孔開孔位置并制作所述裝配沉孔；

使用所述可調(diào)節(jié)螺絲固定所述印刷電路板和所述磁聚焦放大器，所述印刷電路板和所述磁聚焦放大器置有所述彈性墊片；

通過所述可調(diào)節(jié)螺絲調(diào)整所述印刷電路板和所述磁聚焦放大器的相對位置，使所述聚焦端的錐尖與所述磁敏感點(diǎn)相接觸；

獲取所述弱磁場檢測裝置的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，將所述校準(zhǔn)數(shù)據(jù)寫入所述數(shù)據(jù)分析處理模塊，所述校準(zhǔn)數(shù)據(jù)用于對所述轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)補(bǔ)償。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述獲取所述磁敏感點(diǎn)在所述印刷電路板上的定點(diǎn)位置的步驟之前，還包括：

開模鑄造所述磁聚焦放大器。