[發明專利]銀腦回/石墨烯/金膜三維SERS基底及制備方法有效
| 申請號： | 201710602081.6 | 申請日： | 2017-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN107462565B | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 張超;李崇輝;滿寶元;姜守振;楊誠;郁菁 | 申請（專利權）人： | 山東師范大學 |
| 主分類號： | G01N21/65 | 分類號： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人： | 鄭平 |
| 地址： | 250014 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 銀腦回 石墨 三維 sers 基底 制備 方法 | ||
1.一種銀腦回/石墨烯/金膜復合型三維拉曼增強基底，其特征在于，包括：
石墨烯-金納米結構基底；
沉積在石墨烯-金納米結構基底上的銀腦回納米結構；
其中，所述銀腦回納米結構為與人類大腦皮層的腦回與腦溝結構類似的、由納米銀構成的結構體；
所述銀腦回納米結構的寬度為10-30nm，間隙為1-10nm，厚度為2-10nm；
所述基底材料為石英、硅或柔性超薄云母片；
所述的石墨烯層數為2-10層；所述銀腦回納米結構具有超狹窄的納米間隙和周期性。
2.一種銀腦回/石墨烯/金膜復合型三維拉曼增強基底的制造方法，其特征在于，包括：
制備石墨烯-金納米結構基底；
在石墨烯-金納米結構基底上熱蒸鍍銀腦回納米結構，即得；
所述銀腦回納米結構為與人類大腦皮層的腦回與腦溝結構類似的、由納米銀構成的結構體。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述熱蒸鍍的具體步驟為：將石墨烯-金納米結構基底放入熱蒸鍍設備中，距離鉬舟15cm，在鉬舟中放入0.0015g高純銀絲,密封，氣壓抽至5×10-3Pa，調節電流升至90A，得到銀腦回納米結構。
4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述銀腦回納米結構的寬度為10-30nm，間隙為1-10nm，厚度為2-10nm。
5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述基底材料為石英、硅或柔性超薄云母片。
6.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述制備石墨烯-金納米結構基底的方法為：利用熱蒸鍍的方法在基底表面沉積金納米薄膜，濕法轉移化學氣相沉積法生長的石墨烯。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述的金納米薄膜厚度為10-50nm。
8.如權利要求2-7任一項所述的方法制備的銀腦回/石墨烯/金膜復合型三維拉曼增強基底。
9.如權利要求1或權利要求8中所述的銀腦回/石墨烯/金膜復合型三維拉曼增強基底在食品安全檢測中的應用，其中所述的銀腦回/石墨烯/金膜復合型三維拉曼增強基底的基底材料為柔性超薄云母片。
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