[發(fā)明專(zhuān)利]用于RF功率放大器封裝件的集成無(wú)源器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710601968.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107644852B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-01-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 約翰內(nèi)斯·A·M·德波特;弗雷爾克·范瑞哲;約爾丹·康斯坦丁諾夫·斯蒂什塔洛夫 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 安普林荷蘭有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/31 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 江海;姚開(kāi)麗 |
| 地址: | 荷蘭奈*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 rf 功率放大器 封裝 集成 無(wú)源 器件 | ||
1.一種射頻RF功率放大器封裝件,包括:
封裝件;
第一半導(dǎo)體管芯(4),被布置在所述封裝件內(nèi)部并且設(shè)置有RF功率晶體管(5),所述RF功率晶體管具有輸出電容(Cds)并且被配置成在工作頻率下放大信號(hào);
阻抗網(wǎng)絡(luò),被布置在所述封裝件內(nèi)部并且包括:
第一電感器(L1),具有第一端子和第二端子,所述第一端子電連接至所述RF功率晶體管的輸出端;
諧振單元,電連接至所述第一電感器的第二端子;
第二電容器(C2),電連接在所述諧振單元與地之間;
其中,所述諧振單元包括第二電感器(L2)和第一電容器(C1),所述第二電感器電連接在所述第二電容器與所述第一電感器之間,所述第一電容器具有第一端子和第二端子,所述第一電容器的第一端子電連接至所述第一電感器的第二端子,并且其中,所述諧振單元包括電阻元件;
其中,所述第二電容器的電容大于所述第一電容器的電容;
其中,所述第一電容器的第二端子電連接至所述第二電容器;
其中,所述RF功率晶體管被配置成使用饋電電感(Lfeed)進(jìn)行饋電,并且其中,所述第二電容器被配置成在小于所述工作頻率的第一諧振頻率下與所述饋電電感諧振;
其特征在于,所述第一電感器、所述第一電容器以及所述第二電感器被選擇成使得在所述工作頻率或者接近所述工作頻率時(shí):
所述第二電感器阻擋RF電流,從而使得所述RF電流的更大部分流過(guò)所述第一電容器和所述第二電容器;
由所述第一電容器和所述第一電感器的串聯(lián)連接形成的有效電感具有大體上等于所述第一電感器的電感的有效電感,所述有效電感與所述輸出電容諧振;
其中,所述第二電感器被配置成在第二諧振頻率下與所述第一電容器諧振,其中,所述第一諧振頻率小于所述第二諧振頻率,并且其中,所述第二諧振頻率小于所述工作頻率;以及
其中,所述電阻元件被配置用于抑制第一諧振和第二諧振。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻RF功率放大器封裝件,其中,所述第一電感器和/或所述第二電感器包括集成電感器和/或接合線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的射頻RF功率放大器封裝件,其中,所述電阻元件被布置成與所述第二電感器串聯(lián),或者與所述第二電感器集成在一起。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻RF功率放大器封裝件,其中,所述第一電容器和/或所述第二電容器包括集成電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻RF功率放大器封裝件,其中:所述第一諧振頻率位于5MHz至20MHz的范圍內(nèi),所述第二諧振頻率位于300MHz至650MHz的范圍內(nèi),并且所述工作頻率位于800MHz至3.5GHz及以上的范圍內(nèi);和/或
其中,所述第一半導(dǎo)體管芯包括硅管芯或氮化鎵管芯;和/或
其中,所述RF功率晶體管包括橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的至少一個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻RF功率放大器封裝件,其中:
所述第一電容器和所述第二電容器集成在所述第一半導(dǎo)體管芯上,其中,所述封裝件包括凸緣(1)和輸出引線(2),其中,所述第一半導(dǎo)體管芯使用芯片接合技術(shù)被安裝到所述凸緣上;或者
其中,所述第一電容器和所述第二電容器集成在第二管芯(18)上,所述第二管芯為半導(dǎo)體管芯,所述第二管芯布置在所述封裝件內(nèi)部,其中,所述封裝件包括凸緣(1)和輸出引線(2),其中,所述第一半導(dǎo)體管芯和所述第二管芯使用芯片接合技術(shù)被安裝到所述凸緣上;
其中:
所述第一電容器包括第一電極和第二電極,在所述第一電容器的第一電極與第二電極之間布置有第一電介質(zhì),并且其中,所述第二電容器包括第一電極和第二電極,在所述第二電容器的第一電極與第二電極之間布置有第二電介質(zhì),其中,所述第一電容器的第一電極電耦接至所述第一電感器,并且其中,所述第一電容器的第二電極耦接至所述第二電容器的第一電極,其中,所述第二電容器的第二電極連接至地;
其中,所述封裝件包括偏置引線(3)和第四多條接合線(12),所述第四多條接合線從所述偏置引線延伸至所述第一電容器。
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